[实用新型]一种基准电路有效

专利信息
申请号: 202222087949.2 申请日: 2022-08-09
公开(公告)号: CN217821383U 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 李琛;荆二荣;徐德辉 申请(专利权)人: 上海烨映微电子科技股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 林丽丽
地址: 201800 上海市嘉定区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基准 电路
【说明书】:

实用新型提供一种基准电路,包括:电压产生模块,用于根据正、负温度系数电压产生基准电压,及根据偏置电压调控正、负温度系数电压;斩波调制模块,连接电压产生模块的正、负电压端,用于根据斩波频率对正、负温度系数电压进行斩波调制;放大解调模块,连接斩波调制模块的两个输出端,用于对经过斩波调制的正、负温度系数电压进行运放处理后再根据斩波频率进行斩波解调并产生偏置电压,及根据斩波频率对放大解调模块中的放大器噪声进行斩波调制;陷波滤波模块,连接放大解调模块的输出端,用于在斩波频率点对放大器噪声进行陷波处理。通过本实用新型提供的基准电路,解决了现有基准电路存在基准噪声性能差的问题。

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计领域,特别是涉及一种基准电路。

背景技术

传感器信号极其微弱(一般在nV~uV级别),如图1所示,主流的信号处理采用高精度的前置放大器(pre-amplifer)加模数转换器(ADC)实现,但前置放大器和ADC都要牺牲面积和功耗来保证性能。

由于基准电压的噪声特性会直接作用于ADC,影响其输出精度,因此,此种信号处理方案对基准电压及其噪声要求极高。

在前置放大器的增益较高(如100倍)时,模拟输入信号被放大至较大水平,因此对后端ADC精度要求降低,从而对基准噪声要求也会降低,这时系统整体噪声性能主要由前置放大器的等效输入噪声(RTI)决定。

鉴于功耗、面积等各方面考量,有些情况下,前置放大器的增益较小(如50倍),这时对后端ADC的噪声要求随之增加,而ADC的噪声水平除了与本身的量化噪声、器件噪声有关,还与基准噪声水平相关,基准噪声优化在这种情况下就显得非常重要,系统设计时必须给予重视。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种基准电路,用于解决现有基准电路存在基准噪声性能差的问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种基准电路,所述基准电路包括:

电压产生模块,用于根据正温度系数电压和负温度系数电压产生基准电压并输出,以及,根据偏置电压调控所述正温度系数电压和所述负温度系数电压;

斩波调制模块,连接所述电压产生模块的正电压端和负电压端,用于根据斩波频率对所述正温度系数电压和所述负温度系数电压进行斩波调制;

放大解调模块,连接所述斩波调制模块的两个输出端,用于对经过斩波调制的正温度系数电压和负温度系数电压进行运放处理后再根据斩波频率进行斩波解调并产生所述偏置电压,以及,根据斩波频率对所述放大解调模块中的放大器噪声进行斩波调制;

陷波滤波模块,连接所述放大解调模块的输出端,用于在斩波频率点对所述放大器噪声进行陷波处理。

可选地,所述电压产生模块包括:第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻、第一三极管及第二三极管;所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极连接偏置电压,所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极连接电源电压,所述第一MOS管的漏极连接所述第一电阻的第一端并作为所述电压产生模块的正电压端,所述第二MOS管的漏极连接所述第二电阻的第一端并作为所述电压产生模块的输出端;所述第一电阻的第二端连接所述第一三极管的发射极;所述第二电阻的第二端连接所述第二三极管的发射极并作为所述电压产生模块的负电压端;所述第一三极管的基极与其集电极相连并接地;所述第二三极管的基极与其集电极相连并接地。

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