[实用新型]湿法刻蚀装置有效
申请号: | 202222087981.0 | 申请日: | 2022-08-09 |
公开(公告)号: | CN217822683U | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 兰升友;袁山富 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 张博 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 装置 | ||
1.一种湿法刻蚀装置,其特征在于,包括:
循环槽,所述循环槽包括内槽和包围于所述内槽外侧的外槽,且所述外槽的底壁高于所述内槽的底壁;
循环管路,分别连通所述外槽和所述内槽,配置为将所述内槽溢出至所述外槽的刻蚀液循环至所述内槽,且所述循环管路连通所述内槽的一端连接有进液段,所述进液段伸入至所述内槽底部并沿内槽底壁延伸,且所述进液段上布置有多个出液孔。
2.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述进液段设置为一个或多个;所述进液段为多个时,多个所述进液段并排布置于所述内槽底部。
3.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,多个所述出液孔沿所述进液段的延伸方向均匀分布。
4.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述循环管路从所述内槽的顶部伸入至内槽底部;或者,所述循环管路从所述内槽的侧壁伸入至内槽底部。
5.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述内槽上设置有用于内槽中的刻蚀液溢流至所述外槽的溢流部,所述溢流部为开设在所述内槽顶部的溢流口,所述溢流口的边缘开设有多个溢流切槽。
6.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述内槽上设置有循环进液口,所述外槽上设置有循环出液口,所述循环管路从所述循环出液口连接至所述循环进液口。
7.如权利要求6所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,还包括调温器,所述调温器设置于所述循环管路上且位于循环出液口和循环进液口之间,用于对所述刻蚀液进行温度调节。
8.如权利要求7所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,还包括循环泵,所述循环泵与所述循环管路连接,且所述循环泵配置为将所述外槽中的刻蚀液抽回至所述内槽。
9.如权利要求8所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,还包括控制器,所述控制器与所述循环泵和调温器电连接。
10.如权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,还包括供液罐,所述供液罐与所述内槽通过供液管路连通,用于向所述内槽补充刻蚀液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造