[实用新型]湿法刻蚀装置

说明书

本实用新型属于半导体制造技术领域，涉及一种湿法刻蚀装置，包括循环槽，循环槽包括内槽和包围于内槽外侧的外槽，且外槽的底壁高于内槽的底壁；循环管路，分别连通外槽和内槽，配置为将内槽溢出至外槽的刻蚀液循环至内槽，且循环管路连通内槽的一端连接有进液段，进液段伸入至内槽底部并沿内槽底壁延伸，且进液段上布置有多个出液孔。本实用新型能够有效避免槽体内部晶圆刻蚀不均的现象，能让晶圆更加均匀完整的进行整面性湿法刻蚀，从而大大地提高了整片晶圆的均匀性和工艺的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀装置。

背景技术

在半导体制造业中，湿法刻蚀(又称化学刻蚀法)是将晶圆浸泡在化学溶液中，将晶圆上需要去除的薄膜进行化学腐蚀，将其转变为可溶性的化合物并去除的工序。随着半导体工艺尺寸不断缩小，器件可靠性也变得越发重要，湿法刻蚀的工艺表现能力却成为提高器件可靠性的一个瓶颈。单个晶圆与晶圆之间的刻蚀均匀性制约着晶圆可靠性的进一步提高。

湿法刻蚀通常采用湿法刻蚀装置进行，通过槽体循环供液的方法进行药液循环，将外槽中的药液循环回内槽。目前的清洗循环方式都是内外槽单管循环，即单侧槽体注入随即开始循环，在内外槽药液循环装置的内槽出口位置流量较内槽其他位置相对较大，在流量较大位置刻蚀量较大，从而造成对晶圆一侧位置刻蚀速率较大，另一侧刻蚀速速率较小，这样就导致同片晶圆刻蚀不均匀的现象，影响晶圆性能，进而影响后续形成的器件的良率。

因此，如何保证湿法刻蚀时晶圆刻蚀速率的均匀性是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种湿法刻蚀装置，旨在解决现有技术中对晶圆进行湿法刻蚀由于刻蚀不均而导致的一致性和可靠性差的问题。

一种湿法刻蚀装置，包括：

循环槽，所述循环槽包括内槽和包围于所述内槽外侧的外槽，且所述外槽的底壁高于所述内槽的底壁；

循环管路，分别连通所述外槽和所述内槽，配置为将所述内槽溢出至所述外槽的刻蚀液循环至所述内槽，且所述循环管路连通所述内槽的一端连接有进液段，所述进液段伸入至所述内槽底部并沿内槽底壁延伸，且所述进液段上布置有多个出液孔。

上述湿法刻蚀装置，在湿法刻蚀制程中，通过从内槽底壁延伸的进液段，让刻蚀液通过进液段的多个出液孔进入内槽，使得刻蚀液流量在内槽内均匀分布，能够有效避免槽体内部晶圆刻蚀不均的现象，能让晶圆更加均匀完整的进行整面性湿法刻蚀，从而大大地提高了整片晶圆的均匀性和工艺的稳定性，提高产品良率和可靠性，其质量也得到了保证。

可选地，所述进液段设置为一个或多个；所述进液段为多个时，多个所述进液段并排布置于所述内槽底部。如此，便于提高槽体供液的均匀性，从槽体底部进行集中供液循环，并使得刻蚀液流量在内槽中均匀分布，从而改善刻蚀均匀性。

可选地，多个所述出液孔沿所述进液段的延伸方向均匀分布。如此，能够保证刻蚀液从均布的出液孔中排出至内槽中，提高刻蚀液的流量均布性，进而保证刻蚀质量均一性，保证同片晶圆刻蚀均匀。

可选地，所述循环管路从所述内槽的顶部伸入至内槽底部；或者，所述循环管路从所述内槽的侧壁伸入至内槽底部。如此，可根据实际布局空间需求设定循环管路从循环槽的上方供液或者从循环槽的下方侧部供液。

可选地，所述内槽上设置有用于内槽中的刻蚀液溢流至所述外槽的溢流部，所述溢流部为开设在所述内槽顶部的溢流口，所述溢流口的边缘开设有多个溢流切槽。如此，通过溢流部保证内槽中的刻蚀液能够从内槽中溢流至外槽，再经外槽与内槽之间连通的循环管路循环回内槽中；溢流部为设置在内槽顶部的溢流口，其溢流方便，且通过设置溢流切槽，能够保证溢流均匀性和连续性。