[实用新型]用于扁平表贴封装功率器件的散热结构及其电子电路有效
申请号: | 202222115810.4 | 申请日: | 2022-08-10 |
公开(公告)号: | CN218243947U | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 肖海斌;林火荣;郭春明 | 申请(专利权)人: | 华源智信半导体(深圳)有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/18 |
代理公司: | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人: | 徐海晟 |
地址: | 518055 广东省深圳市南山区西丽街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 扁平 封装 功率 器件 散热 结构 及其 电子电路 | ||
本实用新型提供了一种用于扁平表贴封装功率器件的散热结构,设于PCB板,所述扁平表贴封装功率器件包括功率器件单元,所述功率器件单元设于所述PCB板的第一表面,该散热结构包括:第一散热部以及第二散热部;所述第一散热部包括第一散热片以及第二散热片,所述第一散热片设于所述PCB板的第一表面,且与所述功率器件单元的发热部电气连接;所述第二散热片设于所述PCB板的第二表面,且所述第二散热片接第一电性点,所述第一电性点表征为用于降低噪声电压的电性点;所述第二散热部嵌入所述PCB板内,所述第二散热部的第一端连接所述功率器件单元的发热部,所述第二散热部的第二端连接所述第二散热片,以将热量传输至所述第二散热片。
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种用于扁平表贴封装功率器件的散热结构及其电子电路。
背景技术
功率管良好的散热是保证功率器件正常工作的重要条件。
目前,针对扁平表贴封装的功率器件,其散热片焊盘一般直接连接到功率器件的Drain/Source极,散热主要通过加大Drain/Source极的面积,但当用在反激拓扑中用于做初级主开关管,或用于半桥拓扑中的下管位置,Drain/Source极与地之间有很大的dv/dt噪声电压,且焊盘面积越大,与地之间耦合电容越大,其产生的共模电流越大,EMI将越差。因此,加大Drain/Source极面积,有较好的散热效果,但会带来较差EMI性能。
实用新型内容
本实用新型提供一种用于扁平表贴封装功率器件的散热结构及其电子电路,以解决通过加大源极或漏极面积散热导致的较差EMI性能以及较大的dv/dt噪声电压的问题。
根据本实用新型的第一方面,提供了一种用于扁平表贴封装功率器件的散热结构,设于PCB板,所述扁平表贴封装功率器件包括功率器件单元,所述功率器件单元设于所述PCB板的第一表面,该散热结构包括:第一散热部以及第二散热部;
所述第一散热部包括第一散热片以及第二散热片,所述第一散热片设于所述PCB板的第一表面,且与所述功率器件单元的发热部电气连接;所述第二散热片设于所述PCB板的第二表面,且所述第二散热片接第一电性点,所述第一电性点表征为用于降低噪声电压的电性点;
所述第二散热部嵌入所述PCB板内,所述第二散热部的第一端连接所述功率器件单元的发热部,所述第二散热部的第二端连接所述第二散热片,以将热量传输至所述第二散热片。
可选的,所述第一电性点为地。
可选的,所述第一电性点为对地的dv/dt噪声电压小于10V/uS的电性点。
可选的,所述PCB板内包括若干凹槽,所述第二散热部的形状匹配于所述凹槽的形状,每个凹槽内均嵌有所述第二散热部。
可选的,所述PCB板内包括若干槽孔,所述第二散热部的形状匹配于所述槽孔的形状,每个槽孔内均嵌有所述第二散热部。
可选的,所述第一散热部包括铜。
可选的,所述第二散热部包括导热胶。
可选的,所述功率器件单元包括MOS管和/或GAN管。
可选的,所述功率器件单元的发热部包括所述功率器件单元的源极和/或漏极的散热焊盘。
根据本实用新型的第二方面,提供了一种电子电路,包括第一方面及其可选的方案涉及的用于扁平表贴封装功率器件的散热结构。
本实用新型提供的用于扁平表贴封装功率器件的散热结构以及电子电路,通过在所述扁平表贴封装功率器件的PCB内设置所述第二散热部,以及在所述PCB板的第二表面设置所述第二散热片,将所述功率器件单元的发热部的热量导到所述第二散热片,实现了在不影响其EMI性能的情况下,加强了其散热特性。
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