[实用新型]一种非接触式力控移送结构有效
申请号: | 202222138780.9 | 申请日: | 2022-08-15 |
公开(公告)号: | CN217847894U | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 吴超;赵喜成;徐金万 | 申请(专利权)人: | 恩纳基智能科技无锡有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人: | 陈磊勇 |
地址: | 214000 江苏省无锡市金山北科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接触 式力控 移送 结构 | ||
1.一种非接触式力控移送结构,其特征在于:包括支架(1)、磁头(2)和磁吸旋柱(3);所述磁头(2)旋转连接于支架(1)的驱动端,所述磁头(2)设有电机(21);所述磁吸旋柱(3)滑动插设于支架(1)的拾取端,所述磁吸旋柱(3)磁力对应于磁头(2),所述磁吸旋柱(3)的吸取端连接有抽真空设备;所述支架(1)移动至工件位置,所述磁吸旋柱(3)的吸取端通过抽真空设备吸附工件,所述电机(21)驱动磁头(2)旋转,通过非接触力耦合作用于磁吸旋柱(3)使其转动,所述磁吸旋柱(3)带动工件转动,将工件调整至合适的加工角度。
2.根据权利要求1所述的一种非接触式力控移送结构,其特征在于:所述磁吸旋柱(3)包括吸嘴杆(31)、吸嘴(32)、吸嘴杆磁头(33)和限位环(34);所述吸嘴杆(31)插设于支架(1)的旋孔(11),所述吸嘴杆(31)内部开通有吸附通道(311),所述吸附通道(311)的一端连接于吸嘴(32),所述吸附通道(311)的另一端连接于抽真空设备;所述限位环(34)套设于吸嘴杆(31),所述限位环(34)外环直径尺寸大于旋孔(11)的内径尺寸;所述吸嘴杆磁头(33)套设于吸嘴杆(31)且位于限位环(34)上方,所述吸嘴杆磁头(33)磁力对应于磁头(2)。
3.根据权利要求2所述的一种非接触式力控移送结构,其特征在于:所述旋孔(11)周侧环向开设有真空吸附槽(111),所述真空吸附槽(111)对应于限位环(34)下表面,所述真空吸附槽(111)连接于支架(1)的真空感应口(12),所述真空感应口(12)连接有真空感应设备。
4.根据权利要求3所述的一种非接触式力控移送结构,其特征在于:所述真空吸附槽(111)周侧设有密封胶圈,所述密封胶圈贴合对应于限位环(34),所述限位环(34)与密封胶圈贴合的面为光滑平面。
5.根据权利要求2所述的一种非接触式力控移送结构,其特征在于:所述吸嘴杆磁头(33)与吸嘴杆(31)为过盈配合,所述吸嘴杆磁头(33)与吸嘴杆(31)的接触面为磨砂面。
6.根据权利要求1所述的一种非接触式力控移送结构,其特征在于:所述支架(1)的驱动端设有挂板(13),所述磁头(2)旋转挂设于挂板(13),所述电机(21)驱动连接于磁头(2)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造