[实用新型]一种湿法刻蚀装置有效
申请号: | 202222179193.4 | 申请日: | 2022-08-18 |
公开(公告)号: | CN218160283U | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 沈云清;刘长伟;李朋;王石磊 | 申请(专利权)人: | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 浙江中桓凯通专利代理有限公司 33376 | 代理人: | 刘潇 |
地址: | 315400 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 装置 | ||
1.一种湿法刻蚀装置,其特征在于,包括:
晶圆平台;
第一升降组件,所述第一升降组件用于控制所述晶圆平台升降;
至少三个挡液罩,所述挡液罩依次套设,其中,最内侧的所述挡液罩包围形成刻蚀加工腔体,所述晶圆平台位于所述刻蚀加工腔体内,相邻的所述挡液罩之间形成集液腔体,最内侧的所述挡液罩顶部设有第一密封部,其余所述挡液罩顶部设有第二密封部,所述第一密封部和所述第二密封部依次堆叠以密封所有所述集液腔体;
多个第二升降组件,除最外侧的所述挡液罩以外,其余所述挡液罩均通过至少一个所述第二升降组件进行升降;
其中,当任意一个所述集液腔体进行集液时,所述集液腔体内侧的所有所述挡液罩通过所述第二升降组件下降,所述晶圆平台通过所述第一升降组件下降。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述湿法刻蚀装置还包括:
旋转组件,所述旋转组件连接所述晶圆平台,和/或所述第一升降组件连接所述旋转组件。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述湿法刻蚀装置还包括:
安装面板;
第一支架和/或第二支架,所述第一支架位于所述安装面板远离所述晶圆平台的一侧并连接所述第一升降组件,所述第二支架位于所述安装面板远离所述挡液罩的一侧并连接所述第二升降组件。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,最内侧的所述挡液罩为第一挡液罩;
所述湿法刻蚀装置还包括:
第一集液槽,所述第一集液槽连接所述第一挡液罩远离所述刻蚀加工腔体的一侧;
至少一个第一排液管,所述第一排液管连通所述第一集液槽的底部。
5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述湿法刻蚀装置还包括:
接液板,所述接液板位于所述刻蚀加工腔体底部,所述接液板连接所述第一挡液罩,其中,至少一个所述第二升降组件连接所述第一集液槽或所述接液板。
6.根据权利要求4所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,最外侧的所述挡液罩为第三挡液罩,位于所述第一挡液罩和所述第三挡液罩之间的所有挡液罩为第二挡液罩;
所述湿法刻蚀装置还包括:多个第一挡液板、第二集液槽和第二排液管;
其中,每个所述第二挡液罩朝向所述第一挡液罩的一侧连接一个所述第一挡液板,和/或每个所述第二挡液罩远离所述第一挡液罩的一侧连接一个所述第二集液槽,和/或每个所述第二集液槽的底部连通至少一个所述第二排液管,和/或每个所述第二集液槽的底部连接至少一个所述第二升降组件。
7.根据权利要求6所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,在径向远离所述刻蚀加工腔体的方向上,第一个所述第一挡液板伸入所述第一集液槽,其余所述第一挡液板伸入其内侧的所述第二集液槽中。
8.根据权利要求6所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述第三挡液罩包括延伸板;
所述湿法刻蚀装置还包括:支撑件,所述支撑件连接于所述延伸板和所述安装面板之间。
9.根据权利要求6-8任一项所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,所述第二密封部向远离所述第一挡液罩的方向凸出,所述第二密封部朝向所述第一挡液罩的一侧,形成密封槽;
所述第一挡液罩和所述第二挡液罩顶部具有能够和所述密封槽抵接的密封凸起。
10.根据权利要求9所述的湿法刻蚀装置,其特征在于,多个所述第二密封部的密封槽的开度,沿远离所述第一密封部的方向依次增大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造