[实用新型]一种湿法刻蚀装置

说明书

本实用新型公开了一种湿法刻蚀装置，包括：晶圆平台；第一升降组件，所述第一升降组件用于控制所述晶圆平台升降；至少三个挡液罩，所述挡液罩依次套设，其中，最内侧的所述挡液罩包围形成刻蚀加工腔体，所述晶圆平台位于所述刻蚀加工腔体内，相邻的所述挡液罩之间形成集液腔体，最内侧的所述挡液罩顶部设有第一密封部，其余所述挡液罩顶部设有第二密封部，所述第一密封部和所述第二密封部依次堆叠以密封所有所述集液腔体；多个第二升降组件，除最外侧的所述挡液罩以外，其余所述挡液罩均通过至少一个所述第二升降组件进行升降。本实用新型解决了回收不同液体时进液入口不能灵活调节的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体行业晶圆领域，尤其涉及一种湿法刻蚀装置。

背景技术

晶圆是指制造硅半导体电路所用的硅晶片，其是制造芯片的基本材料。随着半导体行业的晶圆制造技术的发展，芯片的电路结构趋于复杂，其加工的难度也逐渐增加。

同时，晶圆刻蚀清洗工艺也愈发重要。晶圆进行蚀刻时，会用到多种不同的蚀刻液体，蚀刻结束后还需要用到清洗液清洗剥离的金属、光刻胶、去胶液以及其他杂质，上述液体需要分别回收。但是，目前用于回收不同液体的回收结构不能灵活调节进液入口，一方面，大部分液体溅到腔体内壁没有回收，回收效率低，另一方面，需要回收的液体的进液入口开启时，其余进液入口不能有效阻挡该液体进入，导致液体仍存在混杂的问题。

实用新型内容

因此，本实用新型实施例提供一种湿法刻蚀装置，有效解决回收不同液体时进液入口不能灵活调节的问题。

本实用新型提供一种湿法刻蚀装置，包括：晶圆平台；第一升降组件，所述第一升降组件用于控制所述晶圆平台升降；至少三个挡液罩，所述挡液罩依次套设，其中，最内侧的所述挡液罩包围形成刻蚀加工腔体，所述晶圆平台位于所述刻蚀加工腔体内，相邻的所述挡液罩之间形成集液腔体，最内侧的所述挡液罩顶部设有第一密封部，其余所述挡液罩顶部设有第二密封部，所述第一密封部和所述第二密封部依次堆叠以密封所有所述集液腔体；多个第二升降组件，除最外侧的所述挡液罩以外，其余所述挡液罩均通过至少一个所述第二升降组件进行升降；其中，当任意一个所述集液腔体进行集液时，所述集液腔体内侧的所有所述挡液罩通过所述第二升降组件下降，所述晶圆平台通过所述第一升降组件下降。

采用该技术方案后所达到的技术效果：当所述湿法刻蚀装置无需回收液体时，所述第一升降组件和所述第二升降组件处于初始位置，所述第一密封部与所述第二密封部依次堆叠抵接，避免任何液体进入集液腔体影响后续液体收集的纯度；当进行液体收集时多种液体分别收集，举例来说，最内侧的所述密封部通过所述第二升降组件下降，使最内侧的所述密封部外的所述集液腔体打开，其余所述第二升降组件不动作，使其余所述集液腔体保持密封，因此打开的所述集液腔体可以收集指定液体，而最内侧的所述密封部下降的同时，所述第一升降组件控制所述晶圆平台下降，使得飞溅的液体可以准确进入所述集液腔体；当需要收集其余液体时，其余任意两个相邻的所述挡液罩之间的所述集液腔体可以单独打开，即通过所述第一升降组件控制该集液腔体内部的所有所述挡液罩下降，实现另一种目标液体的单独收集；因此，所述湿法刻蚀装置可以灵活调节目标集液腔体的进液入口，实现分类收集；同时，灵活控制进液入口的开度，可以时目标集液腔体获得最大的开启状态，从而有效提高集液效率。

进一步的，所述湿法刻蚀装置还包括：旋转组件，所述旋转组件连接所述晶圆平台，和/或所述第一升降组件连接所述旋转组件。

采用该技术方案后所达到的技术效果：所述旋转组件用于控制晶圆平台旋转，从而便于晶圆的刻蚀，也便于晶圆得到均匀有效的清洗。

进一步的，所述湿法刻蚀装置还包括：安装面板；第一支架和/或第二支架，所述第一支架位于所述安装面板远离所述晶圆平台的一侧并连接所述第一升降组件，所述第二支架位于所述安装面板远离所述挡液罩的一侧并连接所述第二升降组件。