[实用新型]一种晶圆覆膜载台

说明书

本实用新型提供一种晶圆覆膜载台，包括覆膜工作台，覆膜工作台上设置载台，载台上表面设置用于放置晶圆的晶圆放置区，所述载台上表面还设置吸附区；所述覆膜工作台下方设置被升降驱动机构带动可以伸缩的升降支柱，所述载台的晶圆放置区设置中间通孔，所述升降支柱伸长时穿过所述载台的中间通孔；所述载台内设置光源，所述载台上位于光源上方的区域设置成透光材料制成的透明区，所述透明区包含并且大于放置晶圆的晶圆放置区的晶圆轮廓线周边区域。本发明可以提高晶圆的定位精度以及识别精度，从而提高覆膜设备的精度。

技术领域

本实用新型属于晶圆加工领域，具体涉及一种晶圆覆膜载台。

背景技术

晶圆加工属于高精度的加工行业，微小的误差就会对晶圆加工结果有一定的影响，最终影响产品质量。在半导体晶圆切割领域，随着大规模集成电路集成化程度的不断提高，半导体产业对硅晶圆尺寸大小的要求越来越高，对其加工精度的要求也更加严格。硅晶圆载盘是激光切割以及其他的工序中用于放置硅晶圆的机构。硅晶圆吸附的稳定以及精度可以影响其上晶圆的位置，从而影响晶圆的精度。提高硅晶圆载台的精度对于高精度晶圆加工很重要。

碳化硅晶圆硬度较高无法通过扩膜方式使晶圆裂开，需要适合设备沿晶圆切割道一条一条破开，芯片表面对碎屑敏感，裂片过程中在晶圆表面贴一层PE膜，防止裂片机构的劈刀和晶圆表面直接接触，也防止劈裂过程中产生的碎屑污染芯片。需要一个专门的贴膜工作台对晶圆进行贴膜以及后续切割膜的工序。现有的贴膜工作台包括放置晶圆的载台以及贴膜辊等贴膜机构，载台的精度还不够高，需要进一步提高精度。

发明内容

本实用新型提供一种晶圆覆膜载台。

本实用新型的目的是以下述方式实现的：一种晶圆覆膜载台，包括覆膜工作台，覆膜工作台上设置载台，载台上表面设置用于放置晶圆的晶圆放置区，所述载台上表面还设置吸附区；所述覆膜工作台下方设置被升降驱动机构带动可以伸缩的升降支柱，所述载台的晶圆放置区设置中间通孔，所述升降支柱伸长时穿过所述载台的中间通孔； 所述载台内设置光源，所述载台上位于光源上方的区域设置成透光材料制成的透明区，所述透明区包含并且大于放置晶圆的晶圆放置区的晶圆轮廓线周边区域。

所述工作台下方设置底架，所述底架上设置被水平驱动机构带动可以水平移动的门形框架，所述载台位于所述门型框架内，所述门型框架顶部两侧均设置有压模气缸，压模气缸的伸缩杆穿过门型框架顶部，压模气缸的伸缩杆末端连接压模托架，压模托架上转动连接压膜辊。

所述载台上设置负压吸附气路，所述负压吸附气路一端设置在吸附区，另一端通过管道连通负压源；所述负压吸附气路包括设置在吸附区上表面的吸附槽，所述吸附槽包括同心设置的若干环形吸附槽、以及连接各个环形吸附槽的径向吸附槽；所述载台包括内部中空、上端开口的基座以及设置在基座开口端上的载盘，所述载台上设置所述中间通孔，所述中间通孔贯穿所述基座以及所述载盘；所述基座上围绕所述中间通孔设置第一环形板，基座上还设置第二环形板，第一环形板设置在第二环形板围成的区域内部；所述第二环形板和基座的环形外壁之间为容纳环形光源的所述光源容纳腔；所述第一环形板内壁沿着圆周设置第三竖向空气通道，所述载盘上设置与第三竖向空气通道连通的吸附通孔，所述吸附通孔设置在所述径向吸附槽上靠近所述载盘中心的一端；所述第一环形板和第二环形板以及所述载盘围成负压腔；所述负压腔的底部设置与负压源通过管道连通的出气孔。

所述吸附槽还包括将每个所述环形吸附槽分割成间隔设置的若干圆弧形吸附槽的分隔槽，所述分隔槽轨迹为圆弧形；两个相邻的分隔槽对称设置。

所述载盘上距离光源最近的位置为光源接收面，所述光源接收面和载盘的透明区之间为透光材料制成，所述光源接收面和透明区位于所述光源的同侧。

所述透明材料为石英，所述透明区为石英制成。