[实用新型]一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器

权利要求书

1.一种基于砷化镓工艺的偏置电路，其特征在于，包括晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3；

所述晶体管M0的D端依次电路连接电阻R0和电源电压VDD；

所述晶体管M0的G端依次电路连接电阻R2、电阻R3和晶体管M2的D端；所述晶体管M2的S端与工作电路连接；所述晶体管M2的G端依次电路连接电阻R4和控制信号Vctrl的输入端；

所述电阻R2和电阻R3之间设有分支电路；所述分支电路上设有电阻R1；所述分支电路连接至所述晶体管M0的D端；

所述晶体管M0的S端与所述晶体管M3的D端电路连接；所述晶体管M3的S端接地；所述晶体管M3的G端依次电路连接电阻R5和控制信号Vctrl的输入端。

2.根据权利要求1所述的一种基于砷化镓工艺的偏置电路，其特征在于，电阻R1、电阻R2和电阻R3为采用精度为1％或精度更高的精密电阻。

3.根据权利要求1所述的一种基于砷化镓工艺的偏置电路，其特征在于，电阻R0、电阻R4和电阻R5为调节电阻。

4.根据权利要求1所述的一种基于砷化镓工艺的偏置电路，其特征在于，晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3采用砷化镓材料的异质结双极性晶体管或/和伪形态高电子迁移率晶体管。

5.一种射频放大器；其特征在于，包括至少一个放大晶体管M1的工作电路；所述工作电路与权利要求1至权利要求4任意一项所述偏置电路电性连接。

6.根据权利要求5所述的一种射频放大器，其特征在于，所述放大晶体管M1与晶体管M0种类相同，所述晶体管M0与工作电路中的放大晶体管M1构成电流镜，晶体管 M0的尺寸为放大晶体管M1的1/N。