[实用新型]一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器

说明书

本实用新型公开了控制电路领域的一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器，包括：晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3；晶体管M0的D端依次电路连接电阻R0和电源电压VDD；晶体管M0的G端依次电路连接电阻R2、电阻R3和晶体管M2的D端；晶体管M2的S端与工作电路连接；晶体管M2的G端依次电路连接电阻R4和控制信号Vctrl的输入端；分支电路上设有电阻R1；所述分支电路连接至所述晶体管M0的D端；所述晶体管M0的S端与所述晶体管M3的D端电路连接；所述晶体管M3的G端依次电路连接电阻R5和控制信号Vctrl的输入端；本实施例在工作电路关断时，降低偏置电路中的电流以节约电能。

技术领域

本实用新型属于控制电路领域，具体涉及一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器。

背景技术

砷化镓工艺一般结构较为简单，因此，设计用于放大器的偏置电路结构亦较为简单。一般以电流镜结构为主，电流镜电路可以将数倍于偏置电路本身的工作电流加到工作电路上，使得电路正常工作时，消耗电流的绝大部分用于工作电路，有利于最大化的利用电流。而当电路不工作时，通常选择将工作电路关断，而偏置电路则保持开启，此部分电流通常在几百微安甚至毫安级别，这样的缺点是，造成此部分偏置电路电流浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器，将工作电路关断时，降低偏置电路中的电流，以解决偏置电路电流浪费的技术问题。

为达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

第一方面本实施新型提供了一种基于砷化镓工艺的偏置电路，包括晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3；

所述晶体管M0的D端依次电路连接电阻R0和电源电压VDD；

所述晶体管M0的G端依次电路连接电阻R2、电阻R3和晶体管M2的D端；所述晶体管M2的S端与工作电路连接；所述晶体管M2的G端依次电路连接电阻R4和控制信号Vctrl的输入端；

所述电阻R2和电阻R3之间设有分支电路；所述分支电路上设有电阻R1；所述分支电路连接至所述晶体管M0的D端；

所述晶体管M0的S端与所述晶体管M3的D端电路连接；所述晶体管M3的S端接地；所述晶体管M3的G端依次电路连接电阻R5和控制信号Vctrl的输入端。

优选的，电阻R1、电阻R2和电阻R3为采用精度为1％或精度更高的精密电阻。

优选的，电阻R0、电阻R4和电阻R5为调节电阻。

优选的，晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3为采用砷化镓材料的异质结双极性晶体管或/和伪形态高电子迁移率晶体管（pHEMT）。

第二方面本实施新型提供了一种射频放大器；包括至少一个放大晶体管M1的工作电路；所述工作电路与所述偏置电路电性连接；

优选的，所述晶体管M0与工作电路中的放大晶体管M1构成电流镜，晶体管 M0的尺寸为放大晶体管M1的1/N。

优选的，所述工作电路设有放大晶体管M1与晶体管M0种类相同，可以采用但不限于砷化镓材料的异质结双极性晶体管或/和伪形态高电子迁移率晶体管（pHEMT）。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：

本实用新型所述晶体管M0的G端依次电路连接电阻R2、电阻R3和晶体管M2的D端；所述晶体管M2的S端与工作电路连接；所述晶体管M2的G端依次电路连接电阻R4和控制信号Vctrl的输入端；所述晶体管M0的S端与所述晶体管M3的D端电路连接；所述晶体管M3的S端接地；所述晶体管M3的G端依次电路连接电阻R5和控制信号Vctrl的输入端；通过电阻R4和电阻R5减小晶体管M2和晶体管M3的G端泄漏电流。

附图说明