[实用新型]一种分选装置

说明书

本实用新型属于半导体技术设备领域，尤其涉及一种分选装置。分选装置包括支撑结构和隔离结构。支撑结构包括分选台以及连接分选台并能够加热分选台的加热机构，分选台具有导热面。隔离结构包括相对导热面设置的顶针板以及布置于顶针板背向导热面的板面并能够支撑芯片的隔离件，隔离件于顶针板上间隔布置有多个；其中，导热面能够加热顶针板，蓝膜相对顶针板布置并抵接多个隔离件，顶针板和各隔离件加热蓝膜至预定温度，以降低芯片与蓝膜之间的胶粘力。本实用新型通过加热机构加热分选台和顶针板，使得蓝膜受热发生热缩且蓝膜与芯片之间的胶粘力降低，从而便于从蓝膜上吸取芯片，提高了芯片与蓝膜分离和分选的便利性，且效率高。

技术领域

本实用新型属于半导体技术设备领域，尤其涉及一种分选装置。

背景技术

目前，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管，芯片在蓝膜上分选是模块封装工艺重要一环，其中，一块蓝膜上一般胶粘有多个芯片，传统的方法靠人工手指顶起蓝膜上的芯片，使芯片与蓝膜预分离，用真空吸笔头胶皮部分将芯片反转，再用真空吸笔将芯片吸取放在夹具对应的位置。

但是，人工着力点不一样，芯片受力不均匀，手指顶起分离方式因人顶起指轻重没法统一，一般芯片厚度几十个微米，会造成芯片破损、损伤、内部裂纹等不良现象，从而导致生产效率低，分离不方便。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种分选装置，旨在解决如何提高芯片与蓝膜分离和分选的便利性的问题。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：

提供一种分选装置，能够分离蓝膜与胶粘在蓝膜上的芯片，其中，所述芯片间隔布置有多个，所述分选装置包括：

支撑结构，包括分选台以及连接所述分选台并能够加热所述分选台的加热机构，所述分选台具有导热面；以及

隔离结构，包括相对所述导热面设置的顶针板以及布置于所述顶针板背向所述导热面的板面并能够支撑所述芯片的隔离件，所述隔离件于所述顶针板上间隔布置有多个；

其中，所述导热面能够加热所述顶针板，所述蓝膜相对所述顶针板布置并抵接多个所述隔离件，所述顶针板和各所述隔离件加热所述蓝膜至预定温度，以降低所述芯片与所述蓝膜之间的胶粘力。

在一些实施例中，所述隔离件的横截面面积沿所述蓝膜指向所述顶针板的方向渐扩设置。

在一些实施例中，所述分选台背向所述导热面的板面开设有定位腔，所述加热机构的发热端至少部分收容于所述定位腔内。

在一些实施例中，所述加热机构包括发热块以及连接所述发热块并能够控制所述发热块进行发热的控制器，所述发热块部分收容于所述定位腔。

在一些实施例中，所述分选装置还包括吸气结构，所述吸气结构连接所述分选台，以使所述蓝膜在受热状态下朝所述顶针板移动并至少部分附着于各所述隔离件。

在一些实施例中，所述顶针板开设有多个通孔，所述通孔两端的孔口分别位于所述顶针板的两侧板面，所述吸气结构包括抽气泵以及导气管，所述导气管具有进气端和出气管，所述出气管连接所述抽气泵，所述进气端连通各所述通孔。

在一些实施例中，所述分选台开设有容置腔，所述导热面位于所述容置腔的腔底，所述顶针板至少部分位于所述容置腔，所述进气端连通所述容置腔。

在一些实施例中，所述分选台的侧表面开设有通气流道，所述通气流道的一端于所述容置腔的腔底处连通所述容置腔，所述通气流道的另一端设有连接所述分选台的通气接头，所述进气端连接所述通气接头。

在一些实施例中，所述预定温度的范围为60～100度。

在一些实施例中，各所述隔离件之间等间距布置，且所述间距小于所述芯片的最小长度。