[实用新型]用于半导体器件的汇流条、芯片封装结构

说明书

本实用新型公开一种用于半导体器件的汇流条、芯片封装结构，该汇流条包括至少两个第一焊盘和第二焊盘；相邻的两个第一焊盘通过一拱起连接部连接；第一焊盘设有第一贯通孔，第一贯通孔的周侧设有朝向第一焊盘焊接面的凸包结构；第二焊盘与位于最外侧的第一焊盘连接。本实用新型技术方案提供了一种高可靠性的用于半导体器件的汇流条。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种用于半导体器件的汇流条、芯片封装结构。

背景技术

在单面散热的功率电子半导体的封装中，需要进行芯片与芯片之间、芯片与基板之间的功率回路连接，以形成芯片封装结构。

现有技术中，主要采用以下三种方式进行功率回路连接：其一，采用铝bonding(绑线)的方式，但是，该方式主要通过高频超声焊接与芯片镀银或者镀铝的表面进行连接，其结合处的应力较为集中，导致结合处的结合强度容易随着温度循环而降低，可靠性低；其二，采用DTS+TCB(Die Top systemThick Cu Bonding)工艺，但是，该工艺需要使用到纳米银浆进行烧结，价格昂贵，导致材料成本较高；其三，采用铝包铜bonding线的方式，但是，该方式使用的铝包铜bonding线制备工艺复杂，价格同样昂贵，材料成本也较高。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种用于半导体器件的汇流条和芯片封装结构，旨在提供一种高可靠性的汇流条。

为实现上述目的，本实用新型提出的一种用于半导体器件的汇流条，包括：

至少两个第一焊盘，相邻的两个所述第一焊盘通过一拱起连接部连接；所述第一焊盘设有第一贯通孔，所述第一贯通孔的周侧设有朝向所述第一焊盘焊接面的凸包结构；

第二焊盘，所述第二焊盘与位于最外侧的所述第一焊盘连接。

在本实用新型的一实施例中，所述第一贯通孔设有若干个，若干个所述第一贯通孔沿所述第一焊盘的第一方向间隔设置。

在本实用新型的一实施例中，所述第一贯通孔为腰型孔，所述腰型孔沿所述第一焊盘的第二方向延伸设置。

在本实用新型的一实施例中，所述腰型孔的长度为L₁，所述第一焊盘的宽度为L₂，0.7L₂L₁L₂。

在本实用新型的一实施例中，所述第一焊盘焊接面的外轮廓为矩形，所述第一焊盘的至少一个角部处还设有第二贯通孔，所述第二贯通孔与所述第一贯通孔并列设置。

在本实用新型的一实施例中，所述第二贯通孔为半腰型孔，所述半腰型孔的开口朝向所述第一焊盘的外侧，所述半腰型孔沿所述第一焊盘的第二方向延伸设置。

在本实用新型的一实施例中，所述第二贯通孔的周侧设有朝向所述第一焊盘焊接面的凸包结构。

在本实用新型的一实施例中，一个所述第一贯通孔的长度与至少一个所述第二贯通孔的长度之和大于所述第一焊盘的宽度。

在本实用新型的一实施例中，所述第一焊盘在第一方向的长度大于所述第一焊盘在第二方向的长度。

在本实用新型的一实施例中，所述第二焊盘包括弯折连接部和基板焊接部，所述基板焊接部通过所述弯折连接部与最外侧的所述第一焊盘连接。

本实用新型还提出一种芯片封装结构，包括：

基板；

至少两个芯片，至少两个所述芯片并列间隔地设置在所述基板的表面；

如上所述的用于半导体器件的汇流条，所述汇流条位于所述基板的上方，所述汇流条的每一所述第一焊盘与一所述芯片焊接，所述汇流条的所述第二焊盘与所述基板焊接。