[实用新型]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其特征在于包括：

衬底，包括有源区以及多个绝缘区；

电阻结构，设置在所述绝缘区上，所述电阻结构还包括：

第一半导体层；

第一盖层，设置在所述第一半导体层上；以及

第一间隙壁，设置在所述第一半导体层与所述第一盖层的侧壁；

位线结构，设置在所述衬底上并横跨所述有源区以及所述绝缘区，所述位线结构还包括：

第二半导体层；

第一导电层，设置在所述第二半导体层上；

第二盖层，设置在所述第一导电层上；以及

第二间隙壁，直接物理接触所述第二半导体层、所述第一导电层、所述第二盖层与所述第二间隙壁的侧壁；以及

位线触点，设置在所述衬底内并部分伸入所述第二半导体层，其中，所述位线触点与所述第一半导体层包括彼此相同的半导体材质。

2.依据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述电阻结构还包括第三半导体层，所述第一半导体层与所述第三半导体层分别包括不同的半导体材质，所述第三半导体层与所述第二半导体层包括彼此相同的半导体材质。

3.依据权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第一半导体层镶嵌地设置在所述第三半导体层内并部分伸入所述衬底。

4.依据权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于，还包括：

多个插塞，分别电连接所述第一半导体层。

5.依据权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于，还包括：

多个插塞，分别电连接所述第三半导体层。

6.依据权利要求3所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第一半导体层包括相互分隔的多个部分。

7.依据权利要求2所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第三半导体层设置在所述第一半导体层上。

8.依据权利要求7所述的半导体存储器件，其特征在于，还包括：

多个插塞，分别电连接所述第一半导体层与所述第三半导体层。

9.依据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述电阻结构还包括：

第二导电层以及第三盖层，依序设置在所述第一盖层上，所述第三盖层与所述第二盖层包括相同的材质；以及

多个插塞，设置在所述衬底上，所述插塞之一直接物理接触所述电阻结构的所述第一半导体层，所述插塞之另一直接物理接触所述位线结构的所述第一导电层。

10.依据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，还包括：

层间电介质层，设置在所述衬底上，所述层间电介质层的顶面齐平于所述第二盖层的顶面，并且完全覆盖所述电阻结构。

11.依据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，所述第一间隙壁的顶面低于所述第二间隙壁的顶面，所述第一盖层与所述第二盖层包括不同的材质。

12.依据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，还包括：

多个插塞，设置在所述衬底上，所述插塞之一直接物理接触所述电阻结构的所述第一半导体层，所述插塞之另一直接物理接触所述位线结构的所述第一导电层。