[实用新型]超音波低温水域下蜡装置有效
申请号: | 202222326624.5 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN218101193U | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 朱宁 | 申请(专利权)人: | 远山新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254 | 代理人: | 葛玉彬 |
地址: | 272100 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超音波 低温 水域 装置 | ||
1.超音波低温水域下蜡装置,其特征在于,包括:
底座;
承载槽,用于盛装去离子水,其中所述承载槽位于所述底座的顶部,所述承载槽的底壁于靠近中间的位置设置有贯穿的限位通孔,且所述承载槽内设置有温度传感器,用于感应所述去离子水的温度;
加热元件,位于所述承载槽内,或者设置在所述承载槽的侧壁内,用于加热所述去离子水;
晃动机构,包括晃动主体和动力机构,其中所述晃动主体位于所述承载槽内所述限位通孔的上方,所述动力机构以能够穿过所述限位通孔驱动所述晃动主体晃动的方式设置在所述底座内;
承载盘,浸没在所述去离子水中,并设置在所述晃动主体的顶部,通过柔性密封套连接所述承载槽的底壁,其中所述柔性密封套套设在所述晃动主体的外围;以及
超音波换能器,具有多个,均匀嵌设在所述底座的顶部,并正对所述承载槽。
2.如权利要求1所述超音波低温水域下蜡装置,其特征在于,所述加热元件位于所述承载槽内,并靠近所述承载槽的侧壁,所述加热元件被实施为电加热丝或加热棒。
3.如权利要求1所述超音波低温水域下蜡装置,其特征在于,所述晃动主体被实施为碟簧,所述碟簧的表面包覆有柔性套。
4.如权利要求3所述超音波低温水域下蜡装置,其特征在于,所述承载槽的底壁于靠近所述限位通孔处设置有圆形凹陷部,所述圆形凹陷部与所述限位通孔同心,并被配置为适于容纳所述晃动主体。
5.如权利要求4所述超音波低温水域下蜡装置,其特征在于,所述晃动主体的外围套设有限位套,所述限位套位于所述承载盘的下方,并与所述晃动主体保持有预定的间隙。
6.如权利要求1至5任一项所述超音波低温水域下蜡装置,其特征在于,所述动力机构包括支撑件、旋转电机、L型连接杆、滑动套筒和转接杆,其中所述旋转电机通过所述支撑件于所述超音波换能器的下方悬空设置在所述底座内,并通过旋转轴固定连接所述L型连接杆,所述滑动套筒设置在所述L型连接杆的另一端,并以可相对滑动的方式套设在所述转接杆上,所述转接杆的顶端穿过所述限位通孔连接所述晃动主体。
7.如权利要求6所述超音波低温水域下蜡装置,其特征在于,所述支撑件被实施为支撑架或支撑座。
8.如权利要求6所述超音波低温水域下蜡装置,其特征在于,所述转接杆的底端设置有限位凸起,所述限位凸起在水平方向凸出所述滑动套筒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造