[实用新型]超音波低温水域下蜡装置有效
申请号: | 202222326624.5 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN218101193U | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 朱宁 | 申请(专利权)人: | 远山新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 济宁汇景知识产权代理事务所(普通合伙) 37254 | 代理人: | 葛玉彬 |
地址: | 272100 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超音波 低温 水域 装置 | ||
本申请公开超音波低温水域下蜡装置,属于晶片处理设备技术领域,包括底座、承载槽、加热元件、晃动机构、承载盘和超音波换能器;承载槽用于盛装去离子水,位于所述底座的顶部,所述承载槽的底壁设置有限位通孔,所述承载槽内设置有温度传感器;晃动机构包括晃动主体和动力机构,其中晃动主体位于承载槽内,动力机构以能够穿过限位通孔驱动晃动主体晃动的方式设置在底座内;承载盘浸没在去离子水中,并设置在晃动主体的顶部,通过柔性密封套连接承载槽的底壁;超音波换能器具有多个,均匀嵌设在底座的顶部,并正对所述承载槽。该低温水域下蜡装置能够避免高温对人员造成的潜在危险,减少slurry的黏附量,方便后续清洗工艺的进行。
技术领域
本实用新型涉及晶片处理设备技术领域,尤其涉及超音波低温水域下蜡装置。
背景技术
现有的晶片下蜡方式一般是通过烤盘烘烤晶片至120℃,在持温一段时间等蜡融化后再取片,其中在取片过程中需要佩戴高温手套,以免被烫伤;另外,因为是在工艺完成后直接进行烘烤,所以工艺过程中残留的slurry会黏附在陶瓷盘、还有晶片上,造成后续清洗工艺难度的增加。
实用新型内容
本实用新型的一个优势在于提供一种超音波低温水域下蜡装置,其中将工艺完成后的承载盘放入到承载槽的去离子水中,在低温的水域环境下,利用超音波换能器转化的能量加速蜡的分解和融化,使得在不需要较高温度的情况下也能实现下蜡的功能,能够避免高温对人员造成的潜在危险;同时,晃动主体带动承载盘晃动,能够将清洗下来的slurry、蜡液从晶片和承载盘上的陶瓷盘上带入到去离子水中,减少slurry的黏附量,方便后续清洗工艺的进行。
本实用新型的一个优势在于提供一种超音波低温水域下蜡装置,其中在承载槽内的圆形凹陷部和限位套均能够对晃动主体的晃动起到良好的限位效果,使该下蜡装置的运转更加稳定,确保下蜡清洗效果。
本实用新型的一个优势在于提供一种超音波低温水域下蜡装置,其中旋转电机的转动通过L型连接杆、滑动套筒和转接杆的配合转化为晃动主体的晃动,包括在水平方向的定向晃动以及竖直方向的轻微晃动,控制更加简单,操作方便,易于维护。
为达到本实用新型以上至少一个优势,本实用新型提供一种超音波低温水域下蜡装置,包括:
底座;
承载槽,用于盛装去离子水,其中所述承载槽位于所述底座的顶部,所述承载槽的底壁于靠近中间的位置设置有贯穿的限位通孔,且所述承载槽内设置有温度传感器,用于感应所述水离子水的温度;
加热元件,位于所述承载槽内,或者设置在所述承载槽的侧壁内,用于加热所述去离子水;
晃动机构,包括晃动主体和动力机构,其中所述晃动主体位于所述承载槽内所述限位通孔的上方,所述动力机构以能够穿过所述限位通孔驱动所述晃动主体晃动的方式设置在所述底座内;
承载盘,浸没在所述去离子水中,并设置在所述晃动主体的顶部,通过柔性密封套连接所述承载槽的底壁,其中所述柔性密封套套设在所述晃动主体的外围;以及
超音波换能器,具有多个,均匀嵌设在所述底座的顶部,并正对所述承载槽。
根据本实用新型一实施例,所述加热元件位于所述承载槽内,并靠近所述承载槽的侧壁,所述加热元件被实施为电加热丝或加热棒。
根据本实用新型一实施例,所述晃动主体被实施为碟簧,所述碟簧的表面包覆有柔性套。
根据本实用新型一实施例,所述承载槽的底壁于靠近所述限位通孔处设置有圆形凹陷部,所述圆形凹陷部与所述限位通孔同心,并被配置为适于容纳所述晃动主体。
根据本实用新型一实施例,所述晃动主体的外围套设有限位套,所述限位套位于所述承载盘的下方,并与所述晃动主体保持有预定的间隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造