[实用新型]一种高性能DPS压差传感器有效

专利信息
申请号: 202222350316.6 申请日: 2022-09-05
公开(公告)号: CN218098137U 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 陆剑;李悦;汤华惠;侯帆 申请(专利权)人: 江苏奥力威传感高科股份有限公司
主分类号: G01L13/06 分类号: G01L13/06;G01L19/14;G01N15/08
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 董旭东
地址: 225000 江苏省扬州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 性能 dps 传感器
【权利要求书】:

1.一种高性能DPS压差传感器,包括壳体组件,其特征在于:壳体组件的高压侧和低压侧分别设置有高压侧密封组件和低压侧密封组件,壳体组件内设置有EMA支架,EMA支架通过限位结构与壳体组件固定连接, EMA支架的一侧设置有低压槽,低压槽与低压侧密封组件配合形成低压密封腔,低压槽上设置有MEMS元件,EMA支架的另一侧设置电子模块元件,电子模块元件与MEMS元件处于EMA支架的同一平面,壳体组件的高压侧设置高压槽,高压槽正对低压槽的背面,高压槽与高压侧密封组件配合形成高压密封腔,低压槽上开设有与高压密封腔连通的感压口,感压口正对MEMS元件的感压部分,壳体组件的底部设置有高压口和低压口,高压密封腔与壳体组件底部的高压口相连通,低压密封腔与低压口相连通。

2.根据权利要求1所述的一种高性能DPS压差传感器,其特征在于:壳体组件内还设置有低压通道,低压通道设置在高压密封腔旁,低压通道的一侧与低压口连通,低压通道的另一侧通过开设在低压测下部的通气口与低压密封腔相连通。

3.根据权利要求2所述的一种高性能DPS压差传感器,其特征在于:高压侧密封组件包括高压密封盖,高压密封盖一体化成型,高压密封盖与壳体组件之间通过点胶固化连接,高压密封盖上设置有与高压槽匹配的高压密封结构,高压密封腔由高压密封结构与高压槽通过点胶固化连接形成。

4.根据权利要求3所述的一种高性能DPS压差传感器,其特征在于:高压密封盖上还是设置有与低压通道相匹配的通道密封结构,通道密封结构与低压通道之间通过点胶固化连接。

5.根据权利要求4所述的一种高性能DPS压差传感器,其特征在于:低压密封组件包括低压密封盖,低压密封盖与壳体组件之间通过点胶固化连接,低压密封盖上还设置有与低压槽匹配的低压密封结构,低压密封腔由低压密封结构与低压槽通过点胶固化连接形成。

6.根据权利要求5所述的一种高性能DPS压差传感器,其特征在于:高压密封盖上下两侧均开设有产线定位孔,产线定位孔位于高压密封盖上背离高压口和低压口的一侧设置。

7.根据权利要求6所述的一种高性能DPS压差传感器,其特征在于:限位结构包括三根热铆柱,热铆柱分别设置在壳体组件的三个对角上,EMA支架上的三个对角上开设有与热铆柱相匹配的限位孔,EMA支架经热铆柱与限位孔配合安装在壳体组件内。

8.根据权利要求7所述的一种高性能DPS压差传感器,其特征在于:感压口位于高压密封腔的一侧的下部设置有导水斜面,导水斜面配套设置有导水槽,导水槽的末端处于高压口的上方。

9.根据权利要求8所述的一种高性能DPS压差传感器,其特征在于:MEMS感压元件和电子模块元件通过绑线连接。

10.根据权利要求9所述的一种高性能DPS压差传感器,其特征在于:电子模块元件包括电源滤波电路,电源滤波电路中包括ASIC芯片,ASIC芯片的与MEMS感压元件相连,ASIC芯片的12号脚和20号脚之间连接有电容C6,电容C6经磁珠FB1与电容C3连接,电容C3与TVS管并联,TVS管与ECU的+5V端相连;

ASIC芯片的11号脚与磁珠FB2相连,磁珠FB2的两端连接有电容C1和电容C2,电容C2的一端接地,另一端ECU的信号输入端相连。

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