[实用新型]超声波测试装置及超声波感应芯片有效
申请号: | 202222364135.9 | 申请日: | 2022-09-06 |
公开(公告)号: | CN218385165U | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 沈丹禹 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 严罗一;黄健 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 超声波 测试 装置 感应 芯片 | ||
1.一种超声波测试装置,其特征在于,包括:托盘;
所述托盘具有相对的第一表面和第二表面,所述托盘的第一表面用于与待测试的超声波感应芯片的背面接触;
所述托盘的第一表面与所述超声波感应芯片的背面之间形成有声波阻隔腔,所述声波阻隔腔与所述超声波感应芯片的声学区域一一对应,且所述超声波感应芯片的声学区域在所述第一表面的投影位于所述声波阻隔腔内,以使所述超声波感应芯片的声学区域产生的测试超声波反射回所述超声波感应芯片的声学区域。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述托盘的第一表面朝向第二表面凹陷,以形成所述声波阻隔腔。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述声波阻隔腔贯通所述托盘的第一表面和第二表面。
4.根据权利要求1-3任一项所述的装置,其特征在于,所述装置还包括抽气设备,所述抽气设备与所述声波阻隔腔连通,以将所述超声波感应芯片吸附于所述托盘的第一表面。
5.根据权利要求1-3任一项所述的装置,其特征在于,所述托盘的第一表面和所述超声波感应芯片之间设置有第一支撑膜层,所述第一支撑膜层设置有与所述超声波感应芯片的声学区域一一对应的第一开口,所述第一开口的侧壁以及与所述第一开口相对的部分所述托盘共同围合形成所述声波阻隔腔。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第一支撑膜层的厚度大于1mm。
7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第一支撑膜层固定于所述托盘的第一表面;或者,所述第一支撑膜层被夹设于所述托盘的第一表面和所述超声波感应芯片的背面之间。
8.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第一支撑膜层为蓝膜或者无硫纸。
9.根据权利要求1-3任一项所述的装置,其特征在于,所述托盘的第一表面与所述超声波感应芯片的背面之间形成有多个所述声波阻隔腔,所述声波阻隔腔与所述超声波感应芯片上的声学区域中一一对应。
10.一种超声波感应芯片,其特征在于,包括:
衬底,具有相对的第三表面以及第四表面;
器件层,设置于所述衬底的第三表面,且所述器件层包括声学区域以及非声学区域;
所述衬底的第四表面设置有第二支撑膜层,所述第二支撑膜层用于与超声波测试装置的托盘接触;所述第二支撑膜层上设置有第二开口,所述第二开口与所述声学区域一一对应,且所述声学区域在所述第二支撑膜层上的投影位于所述第二开口内;
所述第二开口被配置为和所述托盘共同围合形成声波阻隔腔,所述声波阻隔腔使所述声学区域产生的测试超声波反射回所述声学区域。
11.根据权利要求10所述的芯片,其特征在于,所述第二支撑膜层包括聚偏二氟乙烯膜层、光阻膜层中的至少一种。
12.根据权利要求10所述的芯片,其特征在于,所述第二支撑膜层的厚度大于1mm。
13.根据权利要求10-12任一项所述的芯片,其特征在于,所述器件层具有多个所述声学区域;
所述第二支撑膜层上设置有多个所述第二开口,所述第二开口与所述声学区域一一对应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市汇顶科技股份有限公司,未经深圳市汇顶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222364135.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有双滚刷均匀喷水结构的清洁设备
- 下一篇:一种机器人实验托架
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造