[实用新型]超声波测试装置及超声波感应芯片有效
申请号: | 202222364135.9 | 申请日: | 2022-09-06 |
公开(公告)号: | CN218385165U | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 沈丹禹 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 严罗一;黄健 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超声波 测试 装置 感应 芯片 | ||
本申请属于超声波测试技术领域,具体涉及一种超声波测试装置及超声波感应芯片。本申请旨在解决现有超声波反射不一致,影响测试准确性的技术问题。本申请的超声波测试装置包括托盘,且托盘和待测试的超声波感应芯片之间形成声波阻隔腔,且声波阻隔腔与超声波感应芯片的声学区域一一对应,且超声波感应芯片的声学区域在第一表面的投影位于声波阻隔腔内。声波阻隔腔内的空气或者真空环境使得超声波感应芯片的声学区域产生的测试超声波反射回超声波感应芯片的声学区域,不仅反射的超声波强度大,而且反射的超声波一致,利于提高超声波测试的准确性。
技术领域
本申请涉及超声波测试技术领域,尤其涉及一种超声波测试装置及超声波感应芯片。
背景技术
超声指纹传感器通过发射并检测反射回来的超声波进行识别指纹,因其能够穿透显示屏或者壳体、避免光学干扰、识别真假手指等优点,越来越多地被应用到智能终端设备上。
在超声指纹传感器制备过程中,先在晶圆上同时制备多个超声识别芯片,然后进行封装等后续工艺,最后减薄晶圆形成单颗芯片。其中,在进行封装等后续工艺之前,需要对所有超声识别芯片进行超声波测试,以检测超声识别芯片性能的好坏。
在相关技术中,测试用的托盘上设置有抽吸气道,利用抽气设备将具有超声识别芯片的晶圆吸附于托盘上;然后进行超声波测试。但是,由于气道的存在,导致超声反射波不一致,影响超声波测试的准确性。
实用新型内容
本申请提供一种超声波测试装置及超声波感应芯片,以解决现有超声波测试中超声反射波不一致,影响测试准确性的技术问题。
为了解决上述技术问题,本申请采用如下技术方案:
本申请的第一方面提供一种超声波测试装置,其包括:托盘;所述托盘具有相对的第一表面和第二表面,所述托盘的第一表面用于与待测试的超声波感应芯片的背面接触;所述托盘的第一表面与所述超声波感应芯片的背面之间形成有声波阻隔腔,所述声波阻隔腔与所述超声波感应芯片的声学区域一一对应,且所述超声波感应芯片的声学区域在所述第一表面的投影位于所述声波阻隔腔内,以使所述超声波感应芯片的声学区域产生的测试超声波反射回所述超声波感应芯片的声学区域。
与现有技术相比,本申请的第一方面提供的超声波测试装置具有如下优点:
本申请实施例的超声波测试装置包括托盘,托盘具有相对的第一表面和第二表面,托盘的第一表面用于与待测试的超声波感应芯片的背面接触;托盘的第一表面与超声波感应芯片的背面之间形成有声波阻隔腔,声波阻隔腔与超声波感应芯片的声学区域一一对应,且超声波感应芯片的声学区域在第一表面的投影位于声波阻隔腔内。声波阻隔腔内具有空气或者为真空环境,具有较大的声阻抗,使得超声波感应芯片的声学区域产生的测试超声波反射回超声波感应芯片的声学区域,不仅反射的超声波强度大,而且反射的超声波一致,利于提高超声波测试的准确性。
作为本申请上述装置的一种改进,所述托盘的第一表面朝向第二表面凹陷,以形成所述声波阻隔腔。
作为本申请上述装置的一种改进,所述声波阻隔腔贯通所述托盘的第一表面和第二表面。
作为本申请上述装置的一种改进,所述装置还包括抽气设备,所述抽气设备与所述声波阻隔腔连通,以将所述超声波感应芯片吸附于所述托盘的第一表面。
作为本申请上述装置的一种改进,所述托盘的第一表面和所述超声波感应芯片之间设置有第一支撑膜层,所述第一支撑膜层设置有与所述超声波感应芯片的声学区域一一对应的第一开口,所述第一开口的侧壁以及与所述第一开口相对的部分所述托盘共同围合形成所述声波阻隔腔。
作为本申请上述装置的一种改进,所述第一支撑膜层的厚度大于1mm。
作为本申请上述装置的一种改进,所述第一支撑膜层固定于所述托盘的第一表面;或者,所述第一支撑膜层被夹设于所述托盘的第一表面和所述超声波感应芯片的背面之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造