[实用新型]一种开关电路有效
申请号: | 202222365142.0 | 申请日: | 2022-09-06 |
公开(公告)号: | CN218243491U | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 杨家奇 | 申请(专利权)人: | 杰平方半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16;H03K17/687 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 闫学文 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 开关电路 | ||
1.一种开关电路,其特征在于,所述开关电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管,所述开关电路具有输入端和输出端,
所述第一PMOS管的源极和衬底、所述第二PMOS管的源极和衬底、所述第四PMOS管的衬底和所述第三PMOS管的漏极均连接在第一节点处,所述第一NMOS管的源极和衬底、所述第二NMOS管的源极和衬底、所述第四NMOS管的衬底和所述第三NMOS管的漏极均连接在第二节点处,所述第三PMOS管的源极连接电源,所述第三NMOS管的源极接地,所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极均接收第一控制信号,所述第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极均接收第二控制信号,所述第一PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的漏极、所述第四NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极均连接所述输入端,所述第二PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的源极、所述第四NMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极均连接所述输出端。
2.如权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸均小于所述第四PMOS管的尺寸,所述第一PMOS管和所述第二PMOS管共同用于设定所述第四PMOS管的衬底偏压,所述第四PMOS管用于所述开关电路导通。
3.如权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的尺寸均小于所述第四NMOS管的尺寸,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管共同用于设定所述第四NMOS管的衬底偏压,所述第四PMOS管和所述第四NMOS管均用于所述开关电路导通。
4.如权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述第一控制信号和所述第二控制信号为互补的电压控制信号。
5.如权利要求4所述的开关电路,其特征在于,所述第一控制信号为高电平,所述第二控制信号为低电平时,所述开关电路关闭。
6.如权利要求5所述的开关电路,其特征在于,所述开关电路关闭时,所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第四PMOS管、所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第四NMOS管均关闭。
7.如权利要求4所述的开关电路,其特征在于,所述第一控制信号为低电平时,所述第二控制信号为高电平,所述开关电路导通。
8.如权利要求7所述的开关电路,其特征在于,所述开关电路导通时,所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第四PMOS管、所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第四NMOS管均导通,所述第三PMOS管和所述第三NMOS管均关闭。
9.如权利要求1所述的开关电路,其特征在于,所述输入端接收输入模拟信号,所述输出端输出经过所述开关电路流出的输出信号。
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