[实用新型]一种开关电路

说明书

本实用新型提供一种开关电路，开关电路的第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的源极和衬底、第四PMOS管的衬底和第三PMOS管的漏极均连接在第一节点处，第一NMOS管的源极和衬底、第二NMOS管的源极和衬底、第四NMOS管的衬底和第三NMOS管的漏极均连接在第二节点处，使得开关电路关闭时第一NMOS管、第二NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第四PMOS管可以完全关闭，从而解决了输出端串扰输入端造成的漏电风险；在导通时通过第一节点处的电压来确定第四PMOS管的衬底电压，第二节点处的电压来确定第四NMOS管的衬底电压，从而解决第四PMOS管和第四NMOS管因衬底偏置效应产生的问题。

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，特别涉及一种开关电路。

背景技术

开关电路是一种能使模拟信号通过或阻断，主要用于模拟信号与数字控制的接口。随着近年来集成电路的发展，开关电路的开关性能有了很大的提高，可以工作在非常低的工作电压，具有具有较低的导通电阻、很小的封装尺寸，被广泛用于测试设备、通讯产品、以及多媒体系统等。

目前传输门电路作为开关电路，所述开关电路包括并联连接的PMOS 管和NMOS管，由于PMOS管的衬底和NMOS管的衬底存在偏置效应(即体效应)，该偏置效应对PMOS管的衬底和NMOS管的阈值电压存在影响, 会使得导通电阻大幅增加，甚至不导通而无法传输，这样就无法将传输门电路视同为开关。

为了解决上述问题，采用如图1所示的开关电路包括PMOS管TP和 NMOS管TN，所述PMOS管的衬底与源极短接后连接输入端Vi，所述输入端接收模拟信号，所述NMOS管的衬底与源极短接后也连接所述输入端 Vi，所述PMOS管的漏极和所述NMOS管的漏极均连接输出端Vout，所述 PMOS管的栅极接收第一控制信号C1，所述NMOS管接收第二控制信号 C2。该开关电路促使PMOS管和NMOS管都没有出现偏置效应，解决了因衬底偏置效应产生的问题。但是该开关电路的输出端会串扰所述输入端，造成无法关断，引起漏电风险。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种开关电路，可以解决开关电路中 PMOS管和NMOS管的衬底偏置效应，以及避免了输出端会串扰输入端，引起漏电的风险。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种开关电路，所述开关电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一 NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述开关电路具有输入端和输出端，

所述第一PMOS管的源极和衬底、所述第二PMOS管的源极和衬底、所述第四PMOS管的衬底和所述第三PMOS管的漏极均连接在第一节点处，所述第一NMOS管的源极和衬底、所述第二NMOS管的源极和衬底、所述第四NMOS管的衬底和所述第三NMOS管的漏极均连接在第二节点处，所述第三PMOS管的源极连接电源，所述第三NMOS管的源极接地，所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极均接收第一控制信号，所述第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极和所述第三PMOS 管的栅极均接收第二控制信号，所述第一PMOS管的漏极、所述第四PMOS 管的漏极、所述第四NMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极均连接所述输入端，所述第二PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的源极、所述第四NMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极均连接所述输出端。

可选的，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的尺寸均小于所述第四PMOS管的尺寸，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管共同用于设定所述第四PMOS管的衬底偏压，所述第四PMOS管用于所述开关电路导通。

可选的，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的尺寸均小于所述第四NMOS管的尺寸，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管共同用于设定所述第四NMOS管的衬底偏压，所述第四PMOS管和所述第四NMOS 管均用于所述开关电路导通。