[实用新型]一种氯硅烷杂质检测的前处理装置

说明书

本实用新型公开了一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，属于多晶硅生产技术领域，包括加热装置，加热装置上设有用于放置氯硅烷的盛放装置，盛放装置上方设有石英罩，石英罩与出气管相连，出气管与氢氟酸吸收装置相连。氯硅烷放置在盛放装置，加热装置对盛放装置进行加热使得氯硅烷挥发，盛放装置中只余下杂质，挥发的氯硅烷在氢氟酸吸收装置内吸收，放置污染空气；待氯硅烷挥发完毕后即可得到氯硅烷中的杂质，将该杂质单独除去即可检测。本装置具有提升了检测结果、避免闪爆，且对环境无害。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种氯硅烷杂质检测的前处理装置。

背景技术

在多晶硅生产中，氯硅烷是制备多晶硅的重要原料，而氯硅烷中杂质含量的高低是影响多晶硅产品质量的主要因素。其中，氯硅烷中的硼磷杂质是影响多晶硅产品质量的主要因素，硼磷杂质需要通过检测以确定其准确浓度，进而指导生产工艺，在生产过程中除去硼磷杂质。

目前，氯硅烷中杂质含量的检测方法是先将氯硅烷水解，加酸溶解水解物，使试样中的B、P转化为硼酸或磷酸，消解后检测B、P 的含量。由于氯硅烷是一种能与含活泼氢的化合物进行激烈反应在空气中迅速挥发的化学品，在样品前处理过程中B、P极易随氯硅烷挥发，导致检测结果不准确，测试稳定性差。

公开号为CN111024483A，公开日为2020.04.17的中国专利公开了一种氯硅烷前处理系统，其特征在于，其包括燃烧部和吸收部，所述燃烧部具有密闭的燃烧室，且燃烧室的出气口通过管路与吸收部连通，所述燃烧室内设置有用于盛放氯硅烷的取样器以及用于对所述取样器内的所述氯硅烷进行加热燃烧的电加热装置。该前处理系统主要存在以下几个问题：氯硅烷化学性质活泼，沸点低，进行燃烧有发生闪爆的风险：氯硅烷燃烧后对其燃烧产物进行吸收，吸收是否充分受影响因素较多，同时操作过程中易出现失误而造成结果偏差。

实用新型内容

本实用新型旨在解决现有技术中存在的问题，提供一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，氯硅烷放置在盛放装置，加热装置对盛放装置进行加热使得氯硅烷挥发，盛放装置中只余下杂质，挥发的氯硅烷在氢氟酸吸收装置内吸收，放置污染空气；待氯硅烷挥发完毕后即可得到氯硅烷中的杂质，将该杂质单独除去即可检测。本装置具有提升了检测结果、避免闪爆，且对环境无害。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，包括加热装置，所述加热装置上设置有用于放置氯硅烷的盛放装置，所述盛放装置上方设置有石英罩，所述石英罩与出气管相连，所述出气管与氢氟酸吸收装置相连。

优选的，所述氢氟酸吸收装置通过连接管与尾气吸收装置相连。

优选的，所述尾气吸收装置上还设置有放空管。

优选的，所述石英罩上还设置有进气管，所述进气管与惰性气体气瓶相连。

优选的，所述进气管上设置有进气阀。

优选的，所述盛放装置采用烧杯或敞口烧瓶。

优选的，所述加热装置采用电加热器.

本技术方案的有益效果如下：

一、本实用新型提供的一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，氯硅烷放置在盛放装置，加热装置对盛放装置进行加热使得氯硅烷挥发，盛放装置中只余下杂质，挥发的氯硅烷在氢氟酸吸收装置内吸收，放置污染空气；待氯硅烷挥发完毕后即可得到氯硅烷中的杂质，将该杂质单独除去即可检测。本装置具有提升了检测结果、避免闪爆，且对环境无害。

二、本实用新型提供的一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，氢氟酸吸收装置产生的酸性气体被尾气吸收装置中的碱液吸收，进一步减少大气污染。

三、本实用新型提供的一种氯硅烷杂质检测的前处理装置，惰性气体气瓶装置对石英罩内进行置换，避免环境杂质的引入，提高检测准确性。