[实用新型]一种双芯超结MOS器件

权利要求书

1.一种双芯超结MOS器件，其特征在于，包括封装在塑料壳体(1)内的双芯MOS结构，所述双芯MOS结构包括均与散热底板(4)连接的第一超结MOS芯片(2)和第二超结MOS芯片(3)；且所述第一超结MOS芯片(2)和第二超结MOS芯片(3)并排设置在散热底板(4)的表面上；所述散热底板(4)与D极引脚(5)连接；所述第一超结MOS芯片(2)和第二超结MOS芯片(3)通过引脚线组分别与G极引脚(6)、K极引脚(7)和S极引脚(8)连接；且所述S极引脚(8)靠近散热底板(4)的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区(9)。

2.根据权利要求1所述的双芯超结MOS器件，其特征在于，所述引脚线组包括两个信号引脚线(10)和x个功率引脚线(11)，且x≥6；两个所述信号引脚线(10)分别将第一超结MOS芯片(2)、第二超结MOS芯片(3)以及G极引脚(6)三者依次连接和将第一超结MOS芯片(2)、第二超结MOS芯片(3)以及K极引脚(7)三者依次连接；若干所述功率引脚线(11)均与引脚打线区(9)连接，且若干所述功率引脚线(11)均将第一超结MOS芯片(2)、第二超结MOS芯片(3)和S极引脚(8)三者依次连接。

3.根据权利要求2所述的双芯超结MOS器件，其特征在于，所述引脚打线区(9)的宽度满足5.5mm≤L≤8mm。

4.根据权利要求1所述的双芯超结MOS器件，其特征在于，所述G极引脚(6)和K极引脚(7)的宽度均为L₀，所述D极引脚(5)的宽度L₁满足2.5L₀≤L₁≤3L₀；所述S极引脚(8)的宽度L₂满足2.5L₀≤L₁≤3L₀。

5.根据权利要求4所述的双芯超结MOS器件，其特征在于，所述D极引脚(5)的宽度所述S极引脚(8)的宽度