[实用新型]一种双芯超结MOS器件

说明书

本实用新型公开了一种双芯超结MOS器件，涉及半导体器件技术领域。其包括封装在塑料壳体内的双芯MOS结构，双芯MOS结构包括均与散热底板连接的第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片；且第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片并排设置在散热底板的表面上；散热底板与D极引脚连接；第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片通过引脚线组分别与G极引脚、K极引脚和S极引脚连接；且S极引脚靠近散热底板的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区。本实用新型结构简单，通过设置两个超结MOS芯片，以及引脚打线区的设置使得能够连接更多功率引脚线，从而能够有效增加本MOS器件通过电流的能力，实现大电压、大电流的使用需求。大大降低了MOS器件的成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种双芯超结MOS器件。

背景技术

场效应管在机床、电动汽车、光伏发电等多个领域均需使用，IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管)是被运用较多的场效应管，但是IGBT模块在作为场效应管时，其开关速度低于MOS器件，损耗高于MOS器件，MOS器件具有更高开关频率、更低损耗的优点，现有技术通过使用MOS器件代替IGBT模块作为场效应管。普通MOS器件的耐压都小于IGBT模块，因此现有技术中采用具有更高耐压的SIC MOS器件或者超结MOS器件来代替IGBT模块；然而，SIC MOS器件受技术和设备的限制，良品不高，导致成本较高；而且不管是SIC MOS器件还是超结MOS器件都无法通过大电流，从而导致直接采用MOS器件代替IGBT模块运用在电子设备上时仍有一定的局限性。

实用新型内容

针对现有技术的上述不足，本实用新型提供了一种更高开关频率、更低损耗且成本低、耐压高、能够运用在大电流使用环境的双芯超结MOS器件。

为达到上述实用新型目的，本实用新型所采用的技术方案为：

提供一种双芯超结MOS器件，其包括封装在塑料壳体内的双芯MOS结构，双芯MOS结构包括均与散热底板连接的第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片；且第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片并排设置在散热底板的表面上；散热底板与D极引脚连接；第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片通过引脚线组分别与G极引脚、K极引脚和S极引脚连接；且S极引脚靠近散热底板的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区。

进一步的，引脚线组包括两个信号引脚线和x个功率引脚线，且x≥6；两个信号引脚线分别将第一超结MOS芯片、第二超结MOS芯片以及G极引脚三者依次连接和将第一超结MOS芯片、第二超结MOS芯片以及K极引脚三者依次连接；若干功率引脚线均与引脚打线区连接，且若干功率引脚线均将第一超结MOS芯片、第二超结MOS芯片和S极引脚三者依次连接。

打线数量比同类产品更多，从而降低了器件的导阻、寄生电感，提高产品性能

进一步的，引脚打线区的宽度L满足5.5mm≤L≤8mm。更宽的引脚打线宽度的能够使双芯MOS结构设置更多的功率引脚线，增加电流通过性能。

进一步的，G极引脚和K极引脚的宽度均为L₀，D极引脚的宽度L₁满足2.5L₀≤L₁≤3L₀；S极引脚的宽度L₂满足2.5L₀≤L₂≤3L₀。

进一步的，D极引脚的宽度S极引脚的宽度

本实用新型的有益效果为：

1、本实用新型结构简单，通过设置两个超结MOS芯片，以及引脚打线区的设置使得能够连接更多功率引脚线，从而能够有效增加本MOS器件通过电流的能力，实现大电压、大电流的使用需求。同时，超结MOS芯片的成本仅为SIC MOS芯片的十分之一到五分之一，降低了本MOS器件作为场效应管的成本。