[实用新型]一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 202222490625.3 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN218447921U | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陆佳顺;钱叶华;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陈昊宇;潘文斌 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通电 功率 mos 场效应 晶体管 | ||
1.一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，其特征在于：包括：位于硅片（1）下部的重掺杂N型漏极层（2）、位于硅片（1）中部的N型轻掺杂外延层（3）和位于硅片（1）上部的复合掺杂层（4），此复合掺杂层（4）的中央区域具有一N型中掺杂区（5），所述复合掺杂层（4）位于N型中掺杂区（5）两侧区域分别具有左P型基区（61）和右P型基区（62）；
所述左P型基区（61）和右P型基区（62）各自上部远离N型中掺杂区（5）的区域分别设置有左N型重掺杂源极区（71）和右N型重掺杂源极区（72），从而在所述左P型基区（61）和右P型基区（62）各自上部靠近N型中掺杂区（5）的区域形成P型凸起部（8），所述左P型基区（61）和右P型基区（62）的各自P型凸起部（8）上方分别设置有左栅极层（91）、右栅极层（92），此左栅极层（91）、右栅极层（92）分别与P型凸起部（8）之间通过二氧化硅层（10）隔离。
2.根据权利要求1所述的一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，其特征在于：所述N型中掺杂区（5）的高度大于左P型基区（61）和右P型基区（62）的高度。
3.根据权利要求1所述的一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，其特征在于：所述左N型重掺杂源极区（71）与左P型基区（61）的深度比为4~6：10。
4.根据权利要求1所述的一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，其特征在于：所述右N型重掺杂源极区（72）与右P型基区（62）的深度比为4~6：10。
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