[实用新型]一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管

说明书

本实用新型公开一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，其复合掺杂层的中央区域具有一N型中掺杂区，复合掺杂层位于N型中掺杂区两侧区域分别具有左P型基区和右P型基区，左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区，从而在左P型基区和右P型基区各自上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部，左P型基区和右P型基区的各自P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层，此左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离。本实用新型的一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管大大降低了JFET区的电阻，实现器件的低阻化和降低了器件的发热量。

技术领域

本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，尤其涉及一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管。

背景技术

近年来，节能和减排成为电子信息技术领域的重要发展方向，引领了对高能效和高可靠性的MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应管）功率器件的大量需求。

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

但是，现有的MOS场效应晶体管在使用时会产生大量热量，影响器件的正常工作。为此，本实用新型提供一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，该功率MOS场效应晶体管大大降低JFET区的电阻，实现器件的低阻化和降低了器件的发热量。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层、位于硅片中部的N型轻掺杂外延层和位于硅片上部的复合掺杂层，此复合掺杂层的中央区域具有一N型中掺杂区，所述复合掺杂层位于N型中掺杂区两侧区域分别具有左P型基区和右P型基区；

所述左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区，从而在所述左P型基区和右P型基区各自上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部，所述左P型基区和右P型基区的各自P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层，此左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1、上述方案中，所述N型中掺杂区的高度大于左P型基区和右P型基区的高度，通过将栅极分为左栅极层、右栅极层的构造，以及在原来传统结构的JFET区，通过离子注入形成N型的中高掺杂区，减低JFET区的导通电阻，进一步降低器件整体导通电阻。

2、上述方案中，所述左N型重掺杂源极区与左P型基区的深度比为4~6：10，左N型重掺杂源极区与左P型基区的有效深度比有利于器件导通时，减少电子的有效路径。

3、上述方案中，所述右N型重掺杂源极区与右P型基区的深度比为4~6：10，右N型重掺杂源极区与右P型基区的有效深度比有利于器件导通时，减少电子的有效路径。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：