[实用新型]集成MEMS芯片以及ASIC芯片堆叠封装的超声波传感器有效
| 申请号： | 202222493780.0 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN218465501U | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 高伟;马张权 | 申请（专利权）人： | 合肥领航微系统集成有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 丁瑞瑞 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区孔雀台路*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 mems 芯片 以及 asic 堆叠 封装 超声波传感器 | ||
1.一种集成MEMS芯片以及ASIC芯片堆叠封装的超声波传感器，其特征在于，所述超声波传感器包括：
ASIC芯片封装组件；
MEMS芯片封装组件，设置于所述ASIC芯片封装组件上，且所述MEMS芯片封装组件与所述ASIC芯片封装组件呈堆叠设置，所述MEMS芯片封装组件与所述ASIC芯片封装组件电性连接；以及
外壳，设置于所述MEMS芯片封装组件上，且所述外壳上开设有声孔。
2.根据权利要求1所述的超声波传感器，其特征在于，所述ASIC芯片封装组件包括第一基板；
框架，设置于所述第一基板上；以及
ASIC芯片，设置于所述第一基板上，且所述ASIC芯片位于所述框架内。
3.根据权利要求2所述的超声波传感器，其特征在于，所述第一基板上设置有第一焊盘，所述第一焊盘位于所述第一基板上靠近所述框架的一侧。
4.根据权利要求3所述的超声波传感器，其特征在于，所述框架上设置有第二焊盘，所述第二焊盘位于所述框架上靠近所述第一基板和所述MEMS芯片封装组件的两侧。
5.根据权利要求4所述的超声波传感器，其特征在于，所述MEMS芯片封装组件包括：
第二基板，设置于所述框架上，且所述第二基板位于所述框架上远离所述第一基板的一端；以及
MEMS芯片，具有一前腔和一背腔，所述MEMS设置于所述第二基板上，且所述MEMS芯片位于所述第二基板上远离所述框架的一侧。
6.根据权利要求5所述的超声波传感器，其特征在于，所述第二基板上设置有第三焊盘，所述第三焊盘位于所述第二基板上靠近所述框架的一侧。
7.根据权利要求2所述的超声波传感器，其特征在于，所述第一基板与所述框架之间设置有第一粘贴胶层，所述第一粘贴胶层用于固定所述框架于所述第一基板上。
8.根据权利要求5所述的超声波传感器，其特征在于，所述第二基板与所述框架之间设置有第二粘贴胶层，所述第二粘贴胶层用于固定所述第二基板于所述框架上。
9.根据权利要求5所述的超声波传感器，其特征在于，所述外壳与所述第二基板之间设置有第三粘贴胶层，所述第三粘贴胶层用于固定所述外壳于所述第二基板上。
10.根据权利要求6所述的超声波传感器，其特征在于，所述第一焊盘与所述第二焊盘之间、所述第二焊盘与所述第三焊盘之间设置有导电胶层。
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