[实用新型]集成MEMS芯片以及ASIC芯片堆叠封装的超声波传感器

说明书

本实用新型提供一种集成MEMS芯片以及ASIC芯片堆叠封装的超声波传感器，所述超声波传感器包括：ASIC芯片封装组件；MEMS芯片封装组件，设置于所述ASIC芯片封装组件上，且所述MEMS芯片封装组件与所述ASIC芯片封装组件呈堆叠设置，所述MEMS芯片封装组件与所述ASIC芯片封装组件电性连接；以及外壳，设置于所述MEMS芯片封装组件上，且所述外壳上开设有声孔。本实用新型提供一种集成MEMS芯片以及ASIC芯片堆叠封装的超声波传感器，该超声波传感器体积小，功耗低、易装配，同时可以有效提升超声波传感器的发射及接收灵敏度。

技术领域

本实用新型涉及超声波传感器技术领域，尤其涉及一种集成MEMS芯片以及ASIC芯片堆叠封装的超声波传感器。

背景技术

随着消费类电子、智能汽车、智能家居等领域的快速发展，对超声波传感器的性能、尺寸、功耗、成本等需求也越来越高，而压电陶瓷超声波传感器的优化迭代速度已经慢慢无法适应产品需求的迭代速度，已经到了一个瓶颈，较难有新的突破；在此背景下，MEMS超声波传感器作为新一代的技术产品，在未来拥有广阔的市场。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种集成MEMS芯片以及ASIC芯片堆叠封装的超声波传感器，该超声波传感器体积小，功耗低、易装配，同时可以有效提升超声波传感器的发射及接收灵敏度。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

本实用新型提供一种集成MEMS芯片以及ASIC芯片堆叠封装的超声波传感器，所述超声波传感器包括：

ASIC芯片封装组件；

MEMS芯片封装组件，设置于所述ASIC芯片封装组件上，且所述MEMS芯片封装组件与所述ASIC芯片封装组件呈堆叠设置，所述MEMS芯片封装组件与所述ASIC芯片封装组件电性连接；以及

外壳，设置于所述MEMS芯片封装组件上，且所述外壳上开设有声孔。

在本实用新型的一个实施例中，所述ASIC芯片封装组件包括第一基板；框架，设置于所述第一基板上；以及

ASIC芯片，设置于所述第一基板上，且所述ASIC芯片位于所述框架内。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一基板上设置有第一焊盘，所述第一焊盘位于所述第一基板上靠近所述框架的一侧。

在本实用新型的一个实施例中，所述框架上设置有第二焊盘，所述第二焊盘位于所述框架上靠近所述第一基板和所述MEMS芯片封装组件的两侧。

在本实用新型的一个实施例中，所述MEMS芯片封装组件包括：

第二基板，设置于所述框架上，且所述第二基板位于所述框架上远离所述第一基板的一端；以及

MEMS芯片，具有一前腔和一背腔，所述MEMS设置于所述第二基板上，且所述MEMS芯片位于所述第二基板上远离所述框架的一侧。

在本实用新型的一个实施例中，所述第二基板上设置有第三焊盘，所述第三焊盘位于所述第二基板上靠近所述框架的一侧。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一基板与所述框架之间设置有第一粘贴胶层，所述第一粘贴胶层用于固定所述框架于所述第一基板上。

在本实用新型的一个实施例中，所述第二基板与所述框架之间设置有第二粘贴胶层，所述第二粘贴胶层用于固定所述第二基板于所述框架上。

在本实用新型的一个实施例中，所述外壳与所述第二基板之间设置有第三粘贴胶层，所述第三粘贴胶层用于固定所述外壳于所述第二基板上。