[实用新型]一种半导体封装结构有效
| 申请号： | 202222499290.1 | 申请日： | 2022-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN218730887U | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 崔凤佑;李仲培 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/16 | 分类号： | H01L23/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
衬底，其具有第一表面；
裸片，其设置在所述第一表面上；
阻焊剂，其设置在所述第一表面上并邻近所述裸片；以及
间隔件，其悬垂在所述阻焊剂上。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括底部填充胶，所述底部填充胶设置在所述第一表面上以将所述裸片附着到所述衬底。
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述底部填充胶进一步设置在所述裸片与所述间隔件之间的区域中。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述阻焊剂具有凹槽，且所述间隔件悬垂于所述阻焊剂上以覆盖所述凹槽的一部分。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述间隔件的悬垂距离等于或小于所述凹槽的宽度的30％。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凹槽的所述宽度等于或大于120μm。
7.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凹槽填充有所述底部填充胶。
8.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，没有底部填充胶位于所述裸片的顶表面上。
9.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述底部填充胶于所述裸片的顶表面上的爬行距离小于200μm。
10.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述间隔件位于所述底部填充胶的点胶侧附近。
11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述间隔件的悬垂距离等于或小于所述阻焊剂和所述裸片之间的距离的30％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222499290.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种道路排水处理装置
- 下一篇：一种冻干机用西林瓶压塞装置
