[实用新型]一种半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 202222499290.1 申请日: 2022-09-21
公开(公告)号: CN218730887U 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 崔凤佑;李仲培 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/16 分类号: H01L23/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 结构
【说明书】:

实用新型涉及一种半导体封装结构。根据本实用新型的一实施例,一种半导体封装结构包括衬底、裸片、阻焊剂和间隔件。衬底具有第一表面。裸片设置在所述第一表面上。阻焊剂设置在所述第一表面上并邻近所述裸片。间隔件悬垂在所述阻焊剂上。所述半导体封装结构可以解决底部填充胶渗出问题和底部填充胶爬行问题。

技术领域

本公开大体上涉及一种半导体封装结构。

背景技术

在当前制备半导体封装的工艺中,点胶位置处的底部填充胶排除区(UnderfillKeep Out Zone)渗出控制是重要挑战之一。在制备半导体封装的工艺中,当在点胶工艺期间发生底部填充胶渗出问题时,靠近倒装芯片控制器裸片的硅间隔件会发生破裂或损坏,并且硅间隔件因底部填充胶与裸片贴合膜之间的低附着力而易于发生剥离。因此,底部填充胶渗出会带来硅间隔件剥离和/或间隔件破裂的风险。

此外,随着控制器裸片的厚度越来越薄,底部填充胶排除区渗出和底部填充胶攀爬 (在裸片顶表面上)的潜在风险也逐渐增加。尽管可以设计单独的阻焊剂沟槽来解决上述问题,但受工艺限制,仍然很难控制底部填充胶排除区渗出和底部填充胶攀爬问题。

鉴于此,本领域迫切需要一种新颖的半导体封装设计,以避免在制备应用薄裸片的半导体封装结构的工艺中发生此类严重问题。

实用新型内容

鉴于此,本公开提供了一种半导体封装结构,该半导体封装结构包括悬垂在阻焊剂上的间隔件,从而可以解决底部填充胶从底部填充胶排除区渗出问题和底部填充胶攀爬问题。

根据本实用新型的一实施例,一种半导体封装结构包括:衬底,其具有第一表面;裸片,其设置在所述第一表面上;阻焊剂,其设置在所述第一表面上并邻近所述裸片;以及间隔件,其悬垂在所述阻焊剂上。

根据本实用新型的又一实施例,所述半导体封装结构进一步包括底部填充胶,所述底部填充胶设置在所述第一表面上以将所述裸片附着到所述衬底。

根据本实用新型的另一实施例,所述底部填充胶进一步设置在所述裸片与所述间隔件之间的区域中。

根据本实用新型的另一实施例,所述阻焊剂具有凹槽,且所述间隔件悬垂于所述阻焊剂上以覆盖所述凹槽的一部分。

根据本实用新型的另一实施例,所述间隔件的悬垂距离等于或小于所述凹槽的宽度的30%。

根据本实用新型的另一实施例,所述凹槽的所述宽度等于或大于120μm。

根据本实用新型的另一实施例,所述凹槽填充有所述底部填充胶。

根据本实用新型的另一实施例,没有底部填充胶位于所述裸片的顶表面上。

根据本实用新型的另一实施例,所述底部填充胶于所述裸片的顶表面上的爬行距离小于200μm。

根据本实用新型的另一实施例,所述间隔件位于所述底部填充胶的点胶侧附近。

根据本实用新型的另一实施例,所述间隔件的悬垂距离等于或小于所述阻焊剂和所述裸片之间的距离的30%。

本实用新型实施例的额外层面及优点将部分地在后续说明中描述、显示、或是经由本实用新型实施例的实施而阐释。

附图说明

图1为现有技术中的半导体封装结构的间隔件发生破裂的示意图。

图2A为现有技术中的半导体封装结构的剖视示意图。

图2B为现有技术中的另一半导体封装结构的剖视示意图。

图3A为根据本实用新型一实施例的半导体封装结构的剖视示意图。

图3B为根据本实用新型另一实施例的半导体封装结构的剖视示意图。

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