[实用新型]一种真空吸附的加热退火装置有效
申请号: | 202222506108.0 | 申请日: | 2022-09-21 |
公开(公告)号: | CN218647887U | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 刘庆伏;肖平;杨永军;赵志国;赵东明;李新连;付林 | 申请(专利权)人: | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能青海发电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L31/18;H05B3/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐丽 |
地址: | 100036 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 吸附 加热 退火 装置 | ||
1.一种真空吸附的加热退火装置,其特征在于,用于对基板加热退火,包括:
加热平台,所述加热平台上具有沿周向布置的密封圈,所述密封圈凸出所述加热平台的表面并用于支撑所述基板,且所述基板在所述加热平台上的竖直投影能够完全遮挡所述密封圈;
真空吸附组件,所述真空吸附组件设置在所述加热平台上,并且所述密封圈饶设在所述真空吸附组件外侧,且所述真空吸附组件吸附所述基板时所述密封圈受压与所述加热平台平齐。
2.根据权利要求1所述的真空吸附的加热退火装置,其特征在于,所述密封圈的形状与所述基板的边缘轮廓相同。
3.根据权利要求1所述的真空吸附的加热退火装置,其特征在于,所述加热平台上具有密封槽,所述密封圈限位卡设或粘接在所述密封槽内;
且所述密封圈安装在所述密封槽内突出所述加热平台的高度h和所述密封圈的直径D的关系为:
10%D≤h≤50%D。
4.根据权利要求1所述的真空吸附的加热退火装置,其特征在于,所述真空吸附组件包括:
用于吸附所述基板的吸附通道,所述吸附通道贯穿所述加热平台;
真空泵,所述真空泵与所述吸附通道连通。
5.根据权利要求4所述的真空吸附的加热退火装置,其特征在于,所述吸附通道包括:
刻蚀在所述加热平台上的排气槽;
与所述排气槽连通的抽气孔,所述抽气孔开设在所述加热平台上,并能够与所述真空泵密封连通,所述抽气孔的直径小于所述排气槽的直径。
6.根据权利要求4所述的真空吸附的加热退火装置,其特征在于,所述真空吸附组件还包括:
控制所述吸附通道的通断的电磁阀;
控制组件,所述控制组件与所述电磁阀信号连接。
7.根据权利要求6所述的真空吸附的加热退火装置,其特征在于,所述吸附通道为多个,并沿所述密封圈的周向均匀布置,且所有的所述吸附通道均与所述真空泵连通。
8.根据权利要求7所述的真空吸附的加热退火装置,其特征在于,还包括用于获取所述加热平台温度的温度检测装置,并且所述温度检测装置与所述控制组件信号连接,当所述温度检测装置检测到温度高于预设温度时,所述控制组件控制所述电磁阀导通,所述控制组件控制所述加热平台的加热温度。
9.根据权利要求1-8任一项所述的真空吸附的加热退火装置,其特征在于,所述加热平台为铝合金板或不锈钢板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造