[实用新型]一种真空吸附的加热退火装置有效
申请号: | 202222506108.0 | 申请日: | 2022-09-21 |
公开(公告)号: | CN218647887U | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 刘庆伏;肖平;杨永军;赵志国;赵东明;李新连;付林 | 申请(专利权)人: | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能青海发电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L31/18;H05B3/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐丽 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 吸附 加热 退火 装置 | ||
本实用新型公开了一种真空吸附的加热退火装置,包括:加热平台,具有沿周向布置的密封圈,密封圈凸出加热平台的表面并用于支撑基板,基板在加热平台上的竖直投影能够完全遮挡密封圈;真空吸附组件,设置在加热平台上,密封圈饶设在真空吸附组件外侧,真空吸附组件吸附基板时密封圈受压与加热平台平齐。通过真空吸附基板,以使基板靠近加热平台,使基板挤压密封圈,密封圈受压变形,直至基板与加热平台紧密接触,由于密封圈的密封作用,可使加热平台与基板之间密封连接,避免了密封不严,真空吸盘组件吸附时吸附效果不稳定的问题,从而形成良好的热传导,并且受热均匀,避免因接触不良导致受热不均从而产生的翘曲应变和裂片的问题。
技术领域
本实用新型涉及退火工艺技术领域,特别涉及一种真空吸附的加热退火装置。
背景技术
太阳能薄膜电池:太阳能薄膜电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直接发电的光电器件。
在太阳能薄膜电池生产中需要使用大面积的玻璃基板,而大面积的玻璃基板在加工过程中,为了保证其质量,进一步保证发电设备的使用寿命,需要对大面积的玻璃基板及其上的膜层进行退火工艺,以提高膜层结晶质量。具体的,大面积的玻璃基板加热退火工艺应用广泛,例如:在钙钛矿领域中,在玻璃基板上涂布大面积钙钛矿薄膜,然后对其进行100~150℃退火,完成薄膜结晶;在光刻领域,在玻璃基板上涂布光刻胶后,需要对其进行热退火,蒸发多余的溶剂,等等。
目前,现有的退火工艺通常采用加热板对大面积的玻璃基板进行加热,以完成退火。
具体的,将大面积的玻璃基板通过真空吸附的方式吸附在加热板上,具体的,在加热板上设置多个抽气孔,基板放置在加热板上,通过抽真空的方式将基板吸附在台面上,加热板与基板接触以热传导的方式进行传热,完成加热过程。
但是,采用上述加热方式会存在以下问题:
一、局部温差:由于基板和加热板属于硬接触,两者之间局部会有缝隙,无法完全密封,导致基板无法完全贴合台面,使得局部无法以热传导方式传热,导致局部温度较低产生温差,继而导致高裂片率;
二、结晶质量差:温度对钙钛矿结晶过程非常重要,局部温度不均匀会导致结晶质量不一致;尤其是大量分布在加热板表面的抽气孔,孔位置和其它区域会产生较大温差,导致膜层结晶质量较差,无法精细控制成膜。
三、初始温差大:刚放到加热台上时,因尚未开启吸附,基板和台面之间贴附不良,有部分区域接触,而另一些区域未接触,会在极短时间内产生很大的温差,导致裂片。
因此,如何缓解温差,以保证基板加热退火效果,是本技术领域人员亟待解决的问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种真空吸附的加热退火装置,保证基板受热均匀,以保证基板的退火效果。同时在真空吸附前密封圈对基板起到支撑作用,避免吸附前基板和加热平台接触而产生温差。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种真空吸附的加热退火装置,用于对基板加热退火,包括:
加热平台,所述加热平台上具有沿周向布置的密封圈,所述密封圈凸出所述加热平台的表面并用于支撑所述基板,且所述基板在所述加热平台上的竖直投影能够完全遮挡所述密封圈;
真空吸附组件,所述真空吸附组件设置在所述加热平台上,并且所述密封圈饶设在所述真空吸附组件外侧,且所述真空吸附组件吸附所述基板时所述密封圈受压与所述加热平台平齐。
优选的,上述的真空吸附的加热退火装置中,所述密封圈的形状与所述基板的边缘轮廓相同。
优选的,上述的真空吸附的加热退火装置中,所述加热平台上具有密封槽,所述密封圈限位卡设或粘接在所述密封槽内;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造