[实用新型]一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚

权利要求书

1.一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，包括坩埚锅体(100)和坩埚盖体(200)，其特征在于，所述坩埚盖体(200)可拆卸式装配至坩埚锅体(100)的顶端，所述坩埚锅体(100)的内壁中部设有中空柱(130)，且中空柱(130)的壁体上分布有气孔(140)，所述中空柱(130)位于坩埚锅体(100)的底侧为开口结构，且中空柱(130)的底端通入纯化气体；

所述中空柱(130)的内部安装有内置件(300)，所述坩埚盖体(200)的顶部设有储存件，且储存件用于存储半导体基材粉体材料，所述储存件的底侧设有启闭件(220)，且启闭件(220)用于启闭释放半导体基材粉体材料的通道，所述内置件(300)在纯化气体的带动下转动，并带动由储存件释放出的半导体基材粉体材料分布至坩埚锅体(100)的内壁上。

2.根据权利要求1所述的一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，其特征在于：所述内置件(300)包括转杆(310)、螺旋盘(320)和伞面盘(330)，所述伞面盘(330)安装在转杆(310)的顶部外壁上，转杆(310)的轴线与伞面的竖截面的中心线一致，转杆(310)插接至中空柱(130)的内壁中，所述螺旋盘(320)分布在转杆(310)的外壁上，且螺旋盘(320)绕着转杆(310)的轴线转动在中空柱(130)的内部中。

3.根据权利要求2所述的一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，其特征在于：所述伞面盘(330)的竖截面为等腰三角形，伞面盘(330)的外边设有导向缘(340)，且导向缘(340)为圆心靠近转杆(310)一侧的倒角结构。

4.根据权利要求3所述的一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，其特征在于：所述内置件(300)还包括导向片(350)，且导向片(350)分布在伞面盘(330)的上表面上，导向片(350)呈弧形结构，导向片(350)用于半导体基材粉体材料滑动至导向缘(340)处。

5.根据权利要求1所述的一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，其特征在于：所述中空柱(130)的顶端内壁安装有密封杆套(360)，且转杆(310)的杆端装配至密封杆套(360)的内壁上。

6.根据权利要求1所述的一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，其特征在于：所述坩埚盖体(200)包括锅体盖(210)和斗体(230)，斗体(230)垂直安装在锅体盖(210)的上表面，且启闭件(220)安装在斗体(230)和坩埚锅体(100)的连接处。

7.根据权利要求6所述的一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，其特征在于：所述斗体(230)的顶部外壁安装有斗盖(250)。

8.根据权利要求1所述的一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，其特征在于：所述启闭件(220)包括但不限于阀杆和阀球，阀杆设于阀球的一侧，阀杆带动阀球沿着铅锤面转动。

9.根据权利要求6所述的一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，其特征在于：所述坩埚锅体(100)的顶端外边设有密封凸缘(110)，且密封凸缘(110)和锅体盖(210)的内侧壁之间设有通气槽。

10.根据权利要求9所述的一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，其特征在于：所述斗体(230)为透明结构，且斗体(230)的侧壁设有下料刻度(240)。