[实用新型]一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚

说明书

本实用新型涉及纯化设备技术领域，具体公开了一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，包括坩埚锅体和坩埚盖体，所述坩埚盖体可拆卸式装配至坩埚锅体的顶端，所述坩埚锅体的内壁中部设有中空柱，且中空柱的壁体上分布有气孔。本实用新型在传统的坩埚结构上引入沙漏状的入料机构，在坩埚中部设计成中空凸起形式，随着纯化气体吹入，将粉体快速贴合在坩埚壁体上，中空内壁的石墨材料充分吸收热场温度，增大坩埚表面积，有效解决坩埚内粉体中心温度与边缘温度不一致、纯化气体不容易进入到坩埚内部与杂质反应，粉体内气化杂质难排出的问题，提高纯化粉体纯度等级。

技术领域

本实用新型属于纯化设备技术领域，具体涉及一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚。

背景技术

随着我国三代半导体、5G、高端芯片、新能源汽车和智能电网等领域的快速发展，对于高纯石墨的用量大幅增长，高纯石墨是石墨纯度大于 99.999％，即灰分小于10PPM的石墨，高纯半导体基材粉体是三代半导体碳化硅合成所需要的原材料。

目前我国在高纯度粉体纯化过程中，普遍使用的是使用普通石墨坩埚对粉体进行高温纯化，但是在普通石墨坩埚纯化高纯度粉体存在坩埚中心部位的温度与边缘温度不一致，纯化的工艺气体也很难进入粉体芯部，并且里面的气化杂质排除也很困难，导致纯化粉体一致性较差，纯度不高，生产周期长。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单，设计合理的生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：

一种生产高纯度半导体基材粉体材料的高温纯化坩埚，包括坩埚锅体和坩埚盖体，所述坩埚盖体可拆卸式装配至坩埚锅体的顶端，所述坩埚锅体的内壁中部设有中空柱，且中空柱的壁体上分布有气孔，所述中空柱位于坩埚锅体的底侧为开口结构，且中空柱的底端通入纯化气体；

所述中空柱的内部安装有内置件，所述坩埚盖体的顶部设有储存件，且储存件用于存储半导体基材粉体材料，所述储存件的底侧设有启闭件，且启闭件用于启闭释放半导体基材粉体材料的通道，所述内置件在纯化气体的带动下转动，并带动由储存件释放出的半导体基材粉体材料分布至坩埚锅体的内壁上。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述内置件包括转杆、螺旋盘和伞面盘，所述伞面盘安装在转杆的顶部外壁上，转杆的轴线与伞面的竖截面的中心线一致，转杆插接至中空柱的内壁中，所述螺旋盘分布在转杆的外壁上，且螺旋盘绕着转杆的轴线转动在中空柱的内部中。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述伞面盘的竖截面为等腰三角形，伞面盘的外边设有导向缘，且导向缘为圆心靠近转杆一侧的倒角结构。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述内置件还包括导向片，且导向片分布在伞面盘的上表面上，导向片呈弧形结构，导向片用于半导体基材粉体材料滑动至导向缘处。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述中空柱的顶端内壁安装有密封杆套，且转杆的杆端装配至密封杆套的内壁上。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述坩埚盖体包括锅体盖和斗体，斗体垂直安装在锅体盖的上表面，且启闭件安装在斗体和坩埚锅体的连接处。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述斗体的顶部外壁安装有斗盖。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述启闭件包括但不限于阀杆和阀球，阀杆设于阀球的一侧，阀杆带动阀球沿着铅锤面转动。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述坩埚锅体的顶端外边设有密封凸缘，且密封凸缘和锅体盖的内侧壁之间设有通气槽。

作为本实用新型的进一步优化方案，所述斗体为透明结构，且斗体的侧壁设有下料刻度。