[实用新型]一种P型电池

权利要求书

1.一种P型电池，其特征在于，包括P型硅片，所述的P型硅片的正面依次设置有磷扩散层、正面减反射层，对应所述的磷扩散层与所述的正面减反射层设置有正面电极，所述的正面电极穿透所述的正面减反射层、磷扩散层并和所述的P型硅片的正面形成欧姆接触；所述的P型硅片的背面依次设置有隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和背面钝化减反射层，所述的背面钝化减反射层上开设有开槽，所述的开槽内设置有背面电极，所述的背面电极与所述的硼掺杂多晶硅层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的P型电池，其特征在于，所述的硼掺杂多晶硅层的方阻为80-300ohm/sq。

3.根据权利要求1所述的P型电池，其特征在于，所述的磷扩散层的方阻为80-200ohm/sq。

4.根据权利要求1所述的P型电池，其特征在于，所述的隧穿氧化层的材质为SiO₂，所述的隧穿氧化层的厚度为1～5nm。

5.根据权利要求1所述的P型电池，其特征在于，所述的背面钝化减反射层上的开槽通过激光形成。

6.根据权利要求1所述的P型电池，其特征在于，所述的背面电极设置多个，多个所述的背面电极的端部位于同一高度。

7.根据权利要求1所述的P型电池，其特征在于，所述的P型硅片的电阻率为0.4-2Ω·cm；所述的P型硅片的厚度为50-300μm。

8.根据权利要求1所述的P型电池，其特征在于，所述的正面减反射层和所述的背面钝化减反射层均为AlOx层、SiNx层、SiOxNy层、SiOx层中的一种或多种构成的介质层。

9.根据权利要求8所述的P型电池，其特征在于，所述的正面减反射层为SiNx层；所述的背面钝化减反射层包括第一背面钝化减反射层和第二背面钝化减反射层，所述的第一背面钝化减反射层为AlOx层，所述的第二背面钝化减反射层为SiNx层和SiOx层，所述的第一背面钝化减反射层与所述的硼掺杂多晶硅层相邻设置，所述的第二背面钝化减反射层位于所述的第一背面钝化减反射层远离所述的硼掺杂多晶硅层的一侧。

10.根据权利要求8所述的P型电池，其特征在于，所述的正面减反射层和所述的背面钝化减反射层的厚度范围均为5-300nm。