[实用新型]一种P型电池

说明书

本实用新型涉及一种P型电池，其包括P型硅片，P型硅片的正面依次设有磷扩散层、正面减反射层，对应磷扩散层与正面减反射层设有正面电极；P型硅片的背面依次设置有隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和背面钝化减反射层，背面钝化减反射层上开设有开槽，开槽内设有背面电极，背面电极与硼掺杂多晶硅层形成欧姆接触。本实用新型提供的电池的硅片背面增加隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层，且背面钝化减反射层上开设开槽，背面电极位于开槽内并与硼掺杂多晶硅层形成欧姆接触，有效避免金属电极与硅直接接触，利用隧穿及势垒效应，载流子选择性传输，形成良好的钝化接触结构。

技术领域

本实用新型涉及一种P型电池。

背景技术

目前市场主流的P型电池为PERC+SE电池，其利用氧化铝材料在电池片背面形成良好的钝化层，起到化学钝化及场钝化的作用，降低背面钝化复合，增加长波光的吸收。现有P型电池中，背电极穿透背面膜层直至与硅片背面接触，钝化效果差，相对应的电池的Voc低；另外，一些P型硅片的正面通过SE激光进行选择性掺杂，SE激光掺杂后形成N型高浓度掺杂区，正面制备步骤较多，且对正面会造成一定程度的激光损伤。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种改进的P型电池，以解决现有电池钝化效果差的问题，极大地提高化学钝化及场钝化，降低金属接触复合电流。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种P型电池，其包括P型硅片，所述的P型硅片的正面依次设置有磷扩散层、正面减反射层，对应所述的磷扩散层与所述的正面减反射层设置有正面电极，所述的正面电极穿透所述的正面减反射层、磷扩散层并和所述的P型硅片的正面形成欧姆接触；所述的P型硅片的背面依次设置有隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和背面钝化减反射层，所述的背面钝化减反射层上开设有开槽，所述的开槽内设置有背面电极，所述的背面电极与所述的硼掺杂多晶硅层形成欧姆接触。

优选地，所述的硼掺杂多晶硅层的方阻为80-300ohm/sq。

优选地，所述的磷扩散层的方阻为80-200ohm/sq。

优选地，所述的隧穿氧化层的材质为SiO₂，所述的隧穿氧化层的厚度为1～5nm。

优选地，所述的背面钝化减反射层上的开槽通过激光形成。

优选地，所述的背面电极设置多个，多个所述的背面电极的端部位于同一高度。

优选地，所述的P型硅片的电阻率为0.4-2Ω·cm；所述的P型硅片的厚度为50-300μm。

优选地，所述的正面减反射层和所述的背面钝化减反射层均为AlOx层、SiNx层、SiOxNy层、SiOx层中的一种或多种构成的介质层。

优选地，所述的正面减反射层为SiNx层；所述的背面钝化减反射层包括第一背面钝化减反射层和第二背面钝化减反射层，所述的第一背面钝化减反射层为AlOx层，所述的第二背面钝化减反射层为SiNx层和SiOx层，所述的第一背面钝化减反射层与所述的硼掺杂多晶硅层相邻设置，所述的第二背面钝化减反射层位于所述的第一背面钝化减反射层远离所述的硼掺杂多晶硅层的一侧。

优选地，所述的正面减反射层和所述的背面钝化减反射层的厚度范围均为5-300nm。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型提供的P型电池，P型硅片背面增加隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层，且背面钝化减反射层上开设有开槽，背面电极位于开槽内并与硼掺杂多晶硅层形成欧姆接触，有效避免金属电极与硅直接接触，利用隧穿及势垒效应，载流子选择性传输，形成良好的钝化接触结构。

附图说明

附图1为本实用新型提供的P型电池在背面激光开槽后的结构示意图；