[实用新型]一种碳化硅肖特基二极管结构有效

专利信息
申请号: 202222575597.5 申请日: 2022-09-28
公开(公告)号: CN218456061U 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 唐锦平 申请(专利权)人: 互创(东莞)电子科技有限公司
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L23/10;H01L23/48;H01L29/872
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 姜华
地址: 523430 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 肖特基 二极管 结构
【说明书】:

实用新型涉及二极管技术领域,具体涉及一种碳化硅肖特基二极管结构,包括:封装结构、芯片、引脚、引脚电连结构和拆装结构,封装结构设置为封装盖和封装体相连接的分体结构,芯片固定安装在封装体内径面,引脚电连结构固定安装在芯片底部两端并且与芯片电性连接,封装结构的底部开设有与引脚的电连端相配合的卡槽,电连端穿过卡槽与引脚电连结构电性连接,拆装结构设置在封装结构底部并且罩设在引脚外径面。改革了传统的引脚与芯片一体成型的结构,均埋设在封装结构当中。利用引脚可拆卸的方式替代现有的引脚安装方式。能够在引脚损坏后简便地更换引脚,防止由于引脚的损坏或者是失效,使得碳化硅肖特基二极管芯片一并淘汰抛弃。

技术领域

本实用新型涉及二极管技术领域,具体涉及一种碳化硅肖特基二极管结构。

背景技术

碳化硅二极管一般指碳化硅肖特基二极管,碳化硅肖特基二极管是通过金属与N型半导体之间形成接触势垒具有整流特性而制成的一种金属-半导体器件。碳化硅肖特基二极管是一种高压电力电子器件,由于其反向恢复时间短,耐高压,广泛应用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中。常规的碳化硅肖特基二极管由于具有高热导率,适用在高温、高频、大功率和极端环境下工作,因此部分二极管应用碳化硅材料取代了传统的硅材料制作成了碳化硅肖特基二极管。在常规使用下,由于工作环境的极端性,碳化硅肖特基二极管芯片虽然性质相对比较稳定并且其外部围合有封装结构保护,但是外露在封装结构外的引脚却时常损坏,如果引脚和封装结构一体成型或者是部分封装在封装结构当中的,修理起来非常麻烦,甚至淘汰抛弃。

有鉴于此,亟待设计出一种碳化硅肖特基二极管结构,改革了传统的引脚与芯片一体成型的结构,均埋设在封装结构当中。利用引脚可拆卸的方式替代现有的引脚安装方式。能够在引脚损坏后简便地更换引脚,防止由于引脚的损坏或者是失效,使得碳化硅肖特基二极管芯片一并淘汰抛弃。

实用新型内容

为了解决以上现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种碳化硅肖特基二极管结构,改革了传统的引脚与芯片一体成型的结构,均埋设在封装结构当中。利用引脚可拆卸的方式替代现有的引脚安装方式。能够在引脚损坏后简便地更换引脚,防止由于引脚的损坏或者是失效,使得碳化硅肖特基二极管芯片一并淘汰抛弃。

为了实现上述目标,本实用新型的技术方案为:一种碳化硅肖特基二极管结构,包括:封装结构、芯片、引脚、引脚电连结构和拆装结构,所述封装结构设置为封装盖和封装体相连接的分体结构,所述芯片固定安装在所述封装体内径面,所述引脚电连结构固定安装在所述芯片底部两端并且与所述芯片电性连接,所述封装结构的底部开设有与所述引脚的电连端相配合的卡槽,所述电连端穿过所述卡槽与所述引脚电连结构电性连接,所述拆装结构设置在所述封装结构底部并且罩设在所述引脚外径面。

进一步的,所述封装结构包括:封装盖、封装体、芯片安装槽、伸缩导柱、伸缩导槽和伸缩弹簧,所述封装盖与所述封装体相配合,所述封装盖内壁面固定安装有伸缩导柱,所述封装体的内壁面固定安装有伸缩导槽,所述伸缩导槽内固定安装在所述伸缩弹簧,所述伸缩弹簧连接所述伸缩导槽和伸缩导柱,所述封装体的内壁面设置有所述芯片安装槽,所述芯片安装槽与所述芯片相配合。

进一步的,所述封装盖和封装体的底部两端开设有分体卡槽,两个分体卡槽对接形成所述卡槽。

进一步的,所述引脚包括:引脚体和引脚电连端,所述引脚电连端固定安装在所述引脚体顶面并与所述引脚体一体成型,所述引脚电连端与所述卡槽相配合。

进一步的,所述引脚电连结构包括:阴极电连片和阳极电连片,所述阴极电连片和阳极电连片分别设置为“L”型结构并且相背设置在所述芯片底部并与所述芯片电性连接。

进一步的,所述拆装结构包括:螺纹头和螺纹帽,所述螺纹头呈半圆柱状结构分别安装在所述封装盖、封装体底部两端,所述螺纹帽内径面与两个螺纹头相对接后形成的整体相配合并且螺纹连接。

有益效果:

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