[实用新型]一种芯片处理装置有效
申请号: | 202222594859.2 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN218160305U | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 翁诗琦;苟元华;叶红波;吴大海;朱子轩 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 吴浩 |
地址: | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 处理 装置 | ||
本实用新型提供了一种芯片处理装置,其特征在于,包括敞口容器和手柄,所述手柄底端与所述敞口容器外壁固定连接,所述敞口容器内壁均匀设置有多个底部孔洞,所述敞口容器侧壁均匀设置有多个侧壁孔洞,所述敞口容器内部安装有分隔组件,所述分隔组件底部与所述敞口容器内部底面贴合,所述分隔组件将所述敞口容器内部分隔为多个放置槽,所述放置槽用于放置待处理的芯片,在所述敞口容器放置在腐蚀液中时,腐蚀液通过所述底部孔洞和所述侧壁孔洞渗透进入到所述敞口容器内部的各个所述放置槽内部。本实用新型在对芯片去层处理过程中,芯片不易掉落,而且能够同时处理多个芯片,提高了处理效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种芯片处理装置。
背景技术
芯片做失效分析定位时,常需要将芯片去层到某一指定层次,而将芯片浸泡在盐酸、硝酸、氢氟酸等腐蚀性溶液中,是常用的去层手法。一般操作是将整片晶圆裂成小片或切割好的芯片,用镊子固定试片浸入腐蚀液中,腐蚀完成后用镊子夹取着在清水中涮洗。如需要长时间腐蚀,比如1分钟以上,则需要将芯片放置在腐蚀液中一段时间,完成后再用镊子从腐蚀液中夹出试样。
但是对于这种去层方式,镊子夹取过程中芯片易掉落,同样的在转移过程中掉落在桌面、水槽可能会造成芯片破碎。若掉落在腐蚀液中,就无法控制腐蚀时间,特别是短时处理的样品,比如如1-2s,会造成过度腐蚀。而且这种方式一次只能处理单个样品,效率低,如遇到多个相同处理条件的样品,则会是大量重复工作,费时费力。
因此,有必要提供一种新型的芯片处理装置以解决现有技术中存在的上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种芯片处理装置,芯片在去层处理过程中不易掉落,而且能够同时处理多个芯片,提高了处理效率。
为实现上述目的,本实用新型的所述一种芯片处理装置,包括敞口容器和手柄,所述手柄底端与所述敞口容器外壁固定连接,所述敞口容器内壁均匀设置有多个底部孔洞,所述敞口容器侧壁均匀设置有多个侧壁孔洞,所述敞口容器内部安装有分隔组件,所述分隔组件底部与所述敞口容器内部底面贴合,所述分隔组件将所述敞口容器内部分隔为多个放置槽,所述放置槽用于放置待处理的芯片,在所述敞口容器放置在腐蚀液中时,腐蚀液通过所述底部孔洞和所述侧壁孔洞渗透进入到所述敞口容器内部的各个所述放置槽内部。
本实用新型所述芯片处理装置的有益效果在于:通过敞口容器盛放待处理的芯片,使得芯片不会掉落,不易损坏,而且分隔组件将敞口容器内部分隔为多个放置槽,便于一次放置多个芯片进行腐蚀液浸泡的去层处理,提高了芯片去层处理效率。
可选的,所述分隔组件包括至少一个竖向板和至少一个横向板,每一个所述横向板均与所述竖向板连接以将所述敞口容器内部分隔为多个放置槽,所述横向板和所述竖向板底部均与所述敞口容器底面贴合,且所述竖向板端部和所述横向板端部均与所述敞口容器内壁连接。
可选的,所述敞口容器内壁设置有多个插接槽,所述竖向板和所述横向板均通过插入所述插接槽以固定在所述敞口容器内部。其有益效果在于:方便竖向板和横向板安装和拆卸。
可选的,所述竖向板和所述横向板的数量均不小于2个,所述竖向板之间相互平行,所述横向板之间相互平行。
可选的,所述底部孔洞的直径和所述侧壁孔洞的直径均小于待处理的芯片的对角线长度。
可选的,所述敞口容器在竖直方向的投影为圆形,且所述敞口容器的直径小于50mm,或者所述敞口容器在竖直方向的投影为长方形,所述敞口容器的最大边长小于50mm。
可选的,所述竖直方为与所述敞口容器底面垂直的方向。
可选的,还包括防护盖,所述防护盖与所述敞口容器顶部开口匹配。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造