[实用新型]一种用于真空溅射装置的水冷平台机构

说明书

本实用新型涉及一种用于真空溅射装置的水冷平台机构，涉及真空溅射装置的技术领域，包括底板和转动连接在底板上的旋转轴，旋转轴沿竖直方向设置，旋转轴远离底板的一端设置有旋转平台，旋转平台竖直方向的下方设置有加热盘，旋转轴包括内部中空的外圈外套、插设在外圈外套内的内圈外套、插设在内圈外套内的中心轴，外圈外套、内圈外套、中心轴为同轴设置，外圈外套与内密封套之间间隔形成外回水路，内密封套与中心轴之间间隔形成内进水路，旋转平台内设置有连通外回水路和内进水路的循环水路；旋转轴接近底板的一端设置有用于向旋转轴内进水和出水的水冷导入机构。本实用新型具有快速降温的优点。

技术领域

本实用新型涉及真空溅射装置的技术领域，尤其是涉及一种用于真空溅射装置的水冷平台机构。

背景技术

在真空磁控溅射镀膜系统中，Ar通入真空腔体，对靶材施加电源，从而将Ar电离，电离的Ar离子在电场的作用下飞速撞击靶材，此动作中能量的转换为动能转换为热能。对于普通的Si基片而言，这部分产生的热量处于可以承受的范围，并不会影响产品的生产，但是对于一些附光刻胶的Si 基片来说，光刻胶的安全耐温在110℃左右，所以需要等待一定的降温时间，而在遇到另外的加热工艺时候时，降温带来的时间也相对较长。

传统的真空溅射装置，靶材位于腔体的上方，且面朝下放置，基片放在专用的托盘上，而托盘位于靶材下方的旋转平台上，基片随着旋转平台在成膜时一起旋转。

上述方案中旋转平台机构采用普通轴类与平板类部件通过固定件形成平台，只有单纯的旋转与密封功能，托盘上的基片在加热后需要的降温时间较长，容易影响装置有效使用时间，同时在真空溅射成膜中，产生的温度容易使基片表面的光刻胶产生杂气，破坏光刻胶，并且影响成膜的质量，大大影响了生产效率和产品质量。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种用于真空溅射装置的水冷平台机构，其具有快速降温的优点。

本实用新型的上述目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种用于真空溅射装置的水冷平台机构，包括底板和转动连接在底板上的旋转轴，所述旋转轴沿竖直方向设置，所述旋转轴远离底板的一端设置有旋转平台，所述旋转平台竖直方向的下方设置有加热盘，所述旋转轴包括内部中空的外圈外套、插设在外圈外套内的内圈外套、插设在内圈外套内的中心轴，所述外圈外套、内圈外套、中心轴为同轴设置，所述外圈外套与内密封套之间间隔形成外回水路，所述内密封套与中心轴之间间隔形成内进水路，所述旋转平台内设置有连通外回水路和内进水路的循环水路；

所述旋转轴接近底板的一端设置有用于向旋转轴内进水和出水的水冷导入机构。

通过采用上述技术方案，在旋转轴的旋转过程中，水冷导入机构向旋转轴内供水，冷却水经内进水路流入循环水路，再流入外回水路并从水冷导入机构向外部流出，内部循环流动的冷却水持续对旋转轴进行降温。与传统的旋转轴相比，本申请中的旋转轴借助内部的循环流道和水冷导入机构，可以实现更好的降温效果，缩短了基片的降温时间，提高了生产效率。

本实用新型进一步设置为：所述内进水路接近底板的一端设置有用于封闭内进水路的内封堵圈，所述外回水路接近底板的一端设置有用于封闭外回水路的外封堵圈，所述外封堵圈在旋转轴轴向上的高度高于内封堵圈在旋转轴轴向上的高度。

通过采用上述技术方案，借助内封堵圈和外封堵圈减少冷却水从旋转轴内流出的可能性，使得冷却水在旋转轴内不断循环流动，进一步提高降温效果。

本实用新型进一步设置为：所述水冷导入机构包括设置底板上的水冷座、外圈外套外壁与水冷座之间的轴连接座、分别设置在轴连接座两端的上轴承和下轴承、插设在水冷座上的进水管接头和出水管接头，所述进水接头在旋转轴轴向上低于外封堵圈的最高点，所述轴连接座内开设有与进水管接头连通的进水腔，所述旋转轴上开设有连通内进水路与进水腔的进水口，所述轴连接座内开设有与出水管接头连通的出水腔，所述旋转轴上开设有连通外回水路与出水腔的出水口。