[实用新型]一种水冷等离子化学气相沉积设备有效
申请号: | 202222742645.5 | 申请日: | 2022-10-18 |
公开(公告)号: | CN218262743U | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 邱永强;刘永宁;赵俊芳 | 申请(专利权)人: | 山西方维晟智能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/27;C23C16/44;H01J37/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 030024 山西省太原市万柏*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 水冷 等离子 化学 沉积 设备 | ||
本实用新型提供一种水冷等离子化学气相沉积设备,涉及化学气相沉积技术领域。该水冷等离子化学气相沉积设备包括微波发生装置,所述微波发生装置一侧固定连接有用于调整微波反射的三销钉调谐器,所述三销钉调谐器一侧固定连接有模式转换器,所述模式转换器内部滑动连接有天线水管,所述天线水管外侧固定连接有胀紧套。该水冷等离子化学气相沉积设备,石英玻璃离生产区域较远,避免刻蚀造成一系列的危害,天线由特有的胀紧机构保证其稳定性,能更好地保证腔体的密封状态和稳定的生产状态,密封件原理高温区域且设有冷却水降温,能极大提升其寿命,仅需定期维护时更换即可,避免由密封圈频繁损坏造成的问题。
技术领域
本实用新型涉及一种化学气相沉积设备,具体为一种水冷等离子化学气相沉积设备,属于化学气相沉积技术领域。
背景技术
近年来微波等离子体化学气相沉积法技术越来越成熟,越来越多的企业用该方法来生产金刚石类产品。现有微波等离子体化学气相沉积设备采用圆周天线方式的腔体,一般是微波经过三销钉、波导和微波模式转换器传入由天线、石英玻璃、生长台组成的密闭腔体后生成等离子体,再由天线中的特气管路通入工艺气体,经过一些化学气相沉积,在生长台上沉积生成需要的产品。
在微波传输的过程中多处会产生一定的热量,为避免热量聚集造成设备损坏,一般会采用风冷在天线上方将产生的热量抽走,而这种模式下采用大抽力高转速的风冷系统必然会造成噪音大,风机易产生振动的缺点,石英玻璃在天线下方,离等离子体近,生产时容易对石英玻璃产生刻蚀,造成硅污染进而影响到产品质量,石英玻璃上下密封圈离高能量区域较近,容易造成密封圈老化失效和损毁的情况,一旦发生整个生产腔体都会造成污染极难处理。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种水冷等离子化学气相沉积设备,以解决现有技术中在微波传输的过程中多处会产生一定的热量,为避免热量聚集造成设备损坏,一般会采用风冷在天线上方将产生的热量抽走,而这种模式下采用大抽力高转速的风冷系统必然会造成噪音大,风机易产生振动的缺点,石英玻璃在天线下方,离等离子体近,生产时容易对石英玻璃产生刻蚀,造成硅污染进而影响到产品质量,石英玻璃上下密封圈离高能量区域较近,容易造成密封圈老化失效和损毁的情况,一旦发生整个生产腔体都会造成污染极难处理的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种水冷等离子化学气相沉积设备,包括微波发生装置,所述微波发生装置一侧固定连接有用于调整微波反射的三销钉调谐器,所述三销钉调谐器一侧固定连接有模式转换器,所述模式转换器内部滑动连接有天线水管,所述天线水管外侧固定连接有胀紧套,所述胀紧套固定连接于模式转换器内壁,所述模式转换器底部固定连接有腔体上盖,所述腔体上盖底部固定连接有石英玻璃,所述石英玻璃底部固定连接有水冷天线,所述水冷天线底部固定连接有出气环,所述腔体上盖底部固定连接有谐振腔,所述谐振腔内部设置有升降组件。
优选地,所述升降组件包括等离子体,所述等离子体设置于谐振腔内部,所述等离子体底部设置有水冷生长台,所述水冷生长台底部安装有升降机构,气体可以均匀的覆盖等离子体,水冷生长台用于位于等离子体正下方,内部中空通有冷却液避免温度过高损坏生长台,下方连接有升降机构可在生长时升降调整生长台的高度避免产品离等离子体过近或过远影响产品质量。
优选地,所述谐振腔底部固定连接有下腔,所述下腔和石英环密封圈之间安装有腔体用密封圈。
优选地,所述天线水管一侧设置有天线进出水口,所述腔体上盖顶部开设有上盖进出水口,所述谐振腔一侧开设有腔体进出水口,上盖进出水口通入冷却水用于上盖部位冷却,腔体进出水口通入冷却水用于谐振腔内壁冷却。
优选地,所述下腔内部设置有水冷基台,所述水冷基台固定连接于水冷生长台外侧,水冷基台位于下腔内部,中间有生长台贯穿而过,支撑生长台保证其稳定。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的