[实用新型]一种稳定气流场的抽气装置及LPCVD管式反应器

说明书

本实用新型涉及镀膜技术领域，具体涉及一种稳定气流场的抽气装置LPCVD管式反应器，抽气装置应用在LPCVD管式反应器上，LPCVD管式反应器内设有工艺区，抽气装置包括主抽气部和至少一个次抽气部；主抽气部位于工艺区的一端，至少一个次抽气部位于工艺区的另一端。本实用新型在工艺区的两端分别设置了主抽气部和次抽气部，二者都具有抽气能力，从而使得LPCVD管式反应器中的在远离主抽气部的一端的气体也能够被及时抽走，不会产生紊流而积累气体，从而避免工艺特气提前反应而聚合产生粉尘颗粒落到硅片上造成膜的表面粗糙，确保膜的致密性好，确保硅片上的膜的质量。

技术领域

本实用新型属于镀膜技术领域，尤其涉及一种稳定气流场的抽气装置及LPCVD管式反应器。

背景技术

在TOPCon等钝化接触类太阳能电池片生产过程中，需要在硅片表面沉积多晶硅薄膜，现有技术通常采用LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低压力化学气相沉积法)设备进行膜的沉积。

太阳能电池应用的量产设备(LPCVD炉)主要以进舟端为炉口，另一侧为炉尾的结构为主。现有炉体通常通过在炉口安装的进气管或炉尾插入的一组补气管向炉管内喷射镀膜所需的工艺特气(例如硅烷)，在炉管一端进行抽气排空。使用时，将硅片排列在舟上并置入炉内的恒温工艺区，输入工艺特气并抽真空，在特定温度下对硅片进行低压沉积镀膜。

为了提产提效，将单管LPCVD炉管的硅片的装载量由几百片提高到一两千片，则炉管的长度、恒温工艺区的长度需要加长。然而，在采用加长后的LPCVD炉管进行镀膜生产时，生产出来的硅片上，部分硅片的膜的致密性较差，膜的表面粗糙程度较大，无法达到质量要求。

因此，需要一种新的技术以解决现有技术中的炉管的长度、恒温工艺区的长度增加后产生的硅片上的膜的致密性较差、膜的表面粗糙程度较大，无法达到质量要求的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种稳定气流场的抽气装置及LPCVD管式反应器，旨在解决炉管的长度、恒温工艺区的长度增加后产生的硅片上的膜的致密性较差、膜的表面粗糙程度较大，无法达到质量要求的问题。

本实用新型实施例是这样实现的：

一种稳定气流场的抽气装置，应用在LPCVD管式反应器上，LPCVD管式反应器内设有工艺区，所述抽气装置包括主抽气部和至少一个次抽气部；

所述主抽气部位于工艺区的一端，所述至少一个次抽气部位于工艺区的另一端。

更进一步地，所述次抽气部包括插入所述LPCVD管式反应器内的次抽气管；所述抽气管连接有负压源。

更进一步地，所述负压源为泵体或所述主抽气部的负压管路。

更进一步地，所述次抽气管与泵体或所述负压管路之间设有可调开度的控制阀。

更进一步地，所述泵体抽速可调。

更进一步地，所述次抽气管由所述LPCVD管式反应器的尾部插入LPCVD管式反应器内。

更进一步地，所述LPCVD管式反应器设有用于将炉盖和炉身连接密封的的连接结构；

所述连接结构设有内部孔道，所述内部孔道设有与所述LPCVD管式反应器内连通的气口；

所述次抽气部包括位于LPCVD管式反应器外的次抽气管，所述次抽气管的一端与所述内部孔道连通，另一端连接有负压源。

更进一步地，所述主抽气部包括主抽气管，所述主抽气管穿过所述LPCVD管式反应器的尾部延伸至首端。

更进一步地，所述次抽气部为设置在所述主抽气管上的至少一个开孔。