[实用新型]一种MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 202222771492.7 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN218679022U | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 范亚东;周兴国;王艳军;刘昊;刘忠菊 | 申请（专利权）人： | 沈阳贝特瑞科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/60 |
| 代理公司： | 沈阳新科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21117 | 代理人： | 何军 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 驱动 电路 | ||
1.一种MOSFET驱动电路，包括电源VCC、微控单元MCU及驱动单元（1），所述电源VCC和微控单元MCU分别与驱动单元（1）两个输入端相连，其特征在于：
所述驱动单元（1）被设置为，当微控单元MCU输出高电平时，电源VCC与驱动单元（1）的输出端Uout接通，当微控单元MCU输出低电平时，电源VCC与驱动单元（1）的输出端Uout断开。
2.如权利要求1所述的MOSFET驱动电路，其特征在于：所述驱动单元（1）包括三极管T1和三极管T2，所述三极管T1的发射极与基极间接有电阻R4，三极管T2的基极与发射极间接有电阻R6，所述三极管T1的基极通过电阻R5与三极管T2的集电极相连，所述三极管T1的集电极作为驱动单元（1）的输出端Uout，所述三极管T2的发射极接地。
3.如权利要求2所述的MOSFET驱动电路，其特征在于：所述三极管T1的集电极与地之间接有滤波电路。
4.如权利要求3所述的MOSFET驱动电路，其特征在于：所述滤波电路为电阻R1和电容C1并联组成的RC滤波电路。
5.如权利要求4所述的MOSFET驱动电路，其特征在于：所述电源VCC通过限流电阻R2与三极管T1的发射极相连，所述微控单元MCU通过限流电阻R3与三极管T1的基极相连。
6.如权利要求2至5任一权利要求所述的MOSFET驱动电路，其特征在于：所述三极管T1为PNP型三极管，所述三极管T2为NPN型三极管。
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