[实用新型]一种MOSFET驱动电路

说明书

本实用新型涉及一种MOSFET驱动电路，包括电源VCC、微控单元MCU及驱动单元，电源VCC和微控单元MCU分别与驱动单元两个输入端相连。驱动单元包括三极管T1和三极管T2，三极管T1的发射极与基极间接有电阻R4，三极管T2的基极与发射极间接有电阻R6。三极管T1的基极通过电阻R5与三极管T2的集电极相连，集电极作为驱动电路的输出端Uout，三极管T2的发射极接地。本申请通过微控单元控制两个三极管T1和T2的导通与截止，进而控制电源与输出端间的接通和断开，增强了驱动能力，且整个过程中微控单元输出的高低电平逻辑与实际驱动MOSFET电平逻辑相同，驱动频率相同，增加了驱动可靠性。

技术领域

本实用新型属于驱动电路技术领域，具体涉及一种MOSFET驱动电路。

背景技术

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于各种开关电源中。MOSFET的导通与关断需要设置专门的驱动电路。驱动电路位于主电路和控制电路之间，其基本任务是将信息电子电路传来的控制信号按照其控制目标的要求，施加在MOSFET的控制端和公共端之间，使MOSFET按照电路的功能需求开通或关断主电路。现有的很多MOSFET驱动控制电路都采用专用MOSFET驱动器，该类驱动器电路复杂，成本较高。

实用新型内容

鉴于现有技术所存在的上述缺点和不足，本实用新型提出了一种MOSFET驱动电路。

本实用新型的技术方案如下：

一种MOSFET驱动电路，包括电源VCC、微控单元MCU及驱动单元，电源VCC和微控单元MCU分别与驱动单元两个输入端相连。驱动单元被设置为，当微控单元MCU输出高电平时，电源VCC与驱动单元的输出端Uout接通，当微控单元MCU输出低电平时，电源VCC与驱动单元的输出端Uout断开。

进一步地，驱动单元包括三极管T1和三极管T2，三极管T1的发射极与基极间接有电阻R4，三极管T2的基极与发射极间接有电阻R6，三极管T1的基极通过电阻R5与三极管T2的集电极相连，三极管T1的集电极作为驱动单元的输出端Uout，三极管T2的发射极接地。

进一步地，三极管T1的集电极与地之间接有滤波电路。

进一步地，滤波电路为电阻R1和电容C1并联组成的RC滤波电路。

进一步地，电源VCC通过限流电阻R2与三极管T1的发射极相连，微控单元MCU通过限流电阻R3与三极管T1的基极相连。

进一步地，三极管T1为PNP型三极管，三极管T2为NPN型三极管。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型所涉及的MOSFET驱动电路，通过微控单元MCU输出的高低电平控制两个三极管T1和T2的导通与截止，进而控制电源VCC与输出端Uout间的接通和断开，当电源VCC与输出端Uout接通时，驱动单元输出高电平驱动MOSFET导通，当电源VCC与输出端Uout断开时，驱动单元输出低电平使MOSFET关断。整个过程中微控单元MCU输出的高低电平逻辑与实际驱动MOSFET电平逻辑相同，驱动频率相同，增加了驱动可靠性。

附图说明

图1为本实用新型MOSFET驱动电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案进行具体描述。在本申请的描述中，需要理解的是，除非另有明确说明，术语“安装”、“安放”、“设置”、“连接”、“固定”等术语应当做广义理解，可以根据其所处的具体技术方案被理解为固定连接或可拆卸连接等，本领域的普通技术人员可根据技术方案中所涉及的具体情况理解上述术语的具体含义。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或者位置关系。