[实用新型]一种INP晶片取放装置

说明书

一种INP晶片取放装置，涉及半导体晶片加工技术领域，包括无尘盒和滑杆，无尘盒内放置有一卷无尘膜，无尘膜具有无尘无痕的效果，无尘盒外的一侧固接有两根相互平行的插杆，两根插杆上带有相互镜像的滑动轨道，滑动轨道包括沿插杆长度方向上开设的两条直滑道和一条用于连接两条直滑道的换向滑道，滑杆的两端分别滑动设置在两个滑动轨道内，滑杆两端设置有膜夹，无尘膜夹放在膜夹上，在换向通道内侧的插杆上设置有挡杆，滑杆在滑动轨道内滑动一个往返，无尘膜将磷化铟晶片的正反面全部包裹住，实现了为晶片无痕、无污染、无划伤式取放。

技术领域

本实用新型属于半导体晶片加工领域，尤其涉及一种INP晶片取放装置。

背景技术

磷化铟晶片，属于第三代半导体的新型材料，目前主要应用于光通信器件上，数码率很高、波长单色性很好的磷化铟基激光器、调制器、探测器及其模块已广泛应用于光网络，从而推动互联网数据信息传输量的飞速发展，不断满足人们对网络向更高速度和更宽带宽方向发展的要求。

磷化铟晶片存放在晶舟中，加工过程中或者封装发货前，需要将碳化硅晶片从晶舟中取出，现有技术中使用真空笔吸附的方法将磷化铟晶片取出，对于抛光机背面要求不高的晶片来说，此方法可行；但是对于双抛表面洁净度要求高的晶片，此方法不可行，因此需要一种能够避免晶片取放过程中出现印痕、脏、及损伤的取放装置。

实用新型内容

为了更好的解决磷化铟晶片无污染、无印痕、无损伤的取放问题，本实用新型提供一种INP晶片取放装置，本实用新型通过使用无尘膜将磷化铟晶片套住取出，无尘膜具有无尘无痕的效果，保证取放过程中避免了磷化铟晶片与外界接触，避免划伤和印痕。

本实用新型提供的技术方案是：一种INP晶片取放装置，包括无尘盒和滑杆，无尘盒内放置有一卷无尘膜，无尘膜具有无尘无痕的效果，无尘盒外的一侧固接有两根相互平行的插杆，两根插杆上带有相互镜像的滑动轨道，所述的滑动轨道包括沿插杆长度方向上开设的两条直滑道和一条用于连接两条直滑道的换向滑道，所述的滑杆的两端分别滑动设置在两个滑动轨道内，滑杆两端设置有膜夹，无尘盒侧壁开设有用于使无尘膜通过的窄缝，无尘膜夹放在膜夹上，在换向通道内侧的插杆上设置有挡杆，滑杆在滑动轨道内滑动一个往返，无尘膜将磷化铟晶片的正反面全部包裹住；两根插杆外侧分别设置有推拉杆，推拉杆抵在滑杆的端部，推拉杆与滑杆端部通过线绳连接。

作为进一步的技术方案是：所述的换向滑道为双向环向滑道，包括互为镜像的两个斜段和两个直段，斜段连接在直段与直滑道之间，两个直段中间转动设置有一个换向挡板，换向挡板的自由端可分别吸附在两个斜段上。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型能够通过推拉杆一推一拉使滑杆在滑动轨道内滑动一个往返，使无尘膜将磷化铟晶片的正反面全部包裹住，此时可以提出晶片，由于无尘膜具有无尘无痕的效果，因此既不会弄脏晶片表面，又不会在晶片表面划出划痕，很好的保护了晶片。

附图说明

图1是本实用新型的俯视图。

图2是本实用新型的侧视图。

图3是图1中A处的局部放大图。

图4是本实用新型中换向滑道第一种状态的结构示意图。

图5是本实用新型中换向滑道第二种状态的结构示意图。

图中：1、插杆；2、凹槽；3、滑动轨道；4、无尘膜；5、无尘盒；6、推拉杆；7、把手二；8、滑杆；9、挡杆；10、把手一；11、换向挡板；12、膜夹；13、滑动轴承；301、直滑道；302、换向滑道。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。