[实用新型]一种晶圆自动清洁装置

说明书

本实用新型提供一种晶圆自动清洁装置，包括风箱外侧箱体上设置有限位固定装置，通过限位固定装置将清洁装置安装在工作台上，风箱内竖直设置有一号挡板将风箱箱体分成前后容积不等的两个箱体分别是一号箱体与二号箱体，其中一号箱体内设置有离子风制造装置，二号箱体内设置有排风结构，清洁腔设置在风箱上方，清洁腔与风箱间水平设有二号挡板，进料口设置在清洁腔远离排风结构方向上；风导装置设置在清洁腔靠近离子风制造装置轴向的两端上。本实用新型采用离子风制造装置制造离子风在清洁腔内对晶圆表面覆盖可以有效的去除晶圆表面的因静电吸附在晶圆表面的如灰尘等细小的颗粒，提高激光加工产生质量与品控。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工领域，尤其是涉及自动化控制领域，具体为一种晶圆自动清洁装置。

背景技术

现有半导体加工工序中是对于半成品晶圆直接使用激光将晶圆完成内部切割定位后外部切割对晶圆现有厚度进行减薄处理，达到可使用的厚度，后送至精加工部门对晶圆外形进行加工得到根据加工生产所需要的形状与外观精度。

目前产品出现不良问题多为在贴片工艺，在贴片工艺时发现晶圆会出现局部未分段影响产品使用寿命，原因是在加工前晶圆表面存在静电吸附空气中灰尘等细小颗粒对激光加工生产产生误差。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种晶圆自动清洁装置，用于解决现有技术的难点。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种晶圆自动清洁装置，包括：

风箱1，所述风箱1外侧箱体上设置有限位固定装置9，通过限位固定装置9将清洁装置安装在工作台上，所述风箱1内竖直设置有一号挡板3将风箱1箱体分成前后容积不等的两个箱体，所述一号挡板3一侧容积较大的一号箱体10内设置有离子风制造装置5，另一容积较小的二号箱体11内设置有排风结构8，所述排风结构8内的送风口802外连接有空气泵806；

清洁腔2，所述清洁腔2设置在风箱1上方，所述清洁腔2与风箱1间水平设有二号挡板4，清洁腔2顶部设有密封盖板12；

进料口6，所述进料口6设置在清洁腔2远离排风结构8方向上；

风导装置7，所述风导装置7设置在清洁腔2靠近离子风制造装置5轴向的两端上。

根据优选方案，离子风制造装置5包括：

控制器501，所述控制器501设置在风箱1底部，所述控制器501中设有马达带动安装在控制器501上方的风扇502转动；

风扇502，所述风扇502设置在控制器501上方，与下方马达中的转轴相连；

离子棒503，所述离子棒503设置在风箱1底部位于控制器501的前方靠近空气泵806所在的方向，所述离子棒503产生带有正负电荷的气流，混合风扇502产生的气流传递至上方清洁腔2内。

根据优选方案，风扇502设置有4个，4个所述风扇502等距离设置在控制器501上方。

根据优选方案，风导装置7包括：

一号Z轴导风口701，所述一号Z轴导风口701开设在二号挡板4上，位于风扇502出风口的正上方；

二号Z轴导风口702，所述一号Z轴导风口701开设在二号挡板4上，位于离子棒503出风口的正上方；

X轴风扇703，所述X轴风扇703设置在清洁腔2的靠近进料口6左右两端的腔体内侧壁上，X轴风扇703的出风方向与一号Z轴导风口701和二号Z轴导风口702的出风方向垂直且相交。

根据优选方案，排风结构8包括：