[实用新型]一种碳化硅功率器件及其封装结构

说明书

本实用新型公开了一种碳化硅功率器件及其封装结构，包括碳化硅功率器件体，碳化硅功率器件体包括功率器件基板和碳化硅外层，功率器件基板的顶部设置有正电极层，功率器件基板的底部设置有负电极层，正电极层和负电极层的外壁均固定安装有粘接层，粘接层的外壁固定安装有烧结层，烧结层的外壁固定安装有金属层，碳化硅外层设置在金属层的外部，本实用新型中功率器件基板的外部利用粘接层连接固定烧结层，烧结层和金属层提高碳化硅功率器件体的传热效率，并且碳化硅外层也增加了碳化硅功率器件体的耐高温性能和稳定性，在塞盖转动过后，推压件移动便于碳化硅功率器件体的固定封装，降低碳化硅功率器件体的松动。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅功率器件技术领域，具体涉及一种碳化硅功率器件及其封装结构。

背景技术

碳化硅作为新一代的宽禁带半导体材料，碳化硅材料在功率半导体器件的开发中具有多种优势，功率半导体器件为功率变换系统的核心器件，碳化硅功率器件在性能、工作温度、功率处理效率和提供新功能的能力方面提供了显著的改进，碳化硅功率器件运用在逆变器和新能源汽车等方面。

如授权公告号为CN113782503A，授权公告日为20211210的一种碳化硅功率器件封装结构及封装方法，包括碳化硅功率器件，所述碳化硅功率器件的顶端设置有正电极，所述碳化硅功率器件的底端连接有副电机，所述副电机的底端安装有散热机构，所述散热机构的底端设置有封装基板，所述封装基板的底端固定有散热器。

碳化硅功率器件在经过长时间的使用后，碳化硅功率器件的热量升高，如不进行及时的降温处理，碳化硅功率器件会损坏，便难以顺利的运行，并且碳化硅功率器件使用时暴露在外容易受潮，需将碳化硅功率器件封装，因此，亟需设计一种碳化硅功率器件及其封装结构来解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种碳化硅功率器件及其封装结构，以解决现有技术中的上述不足之处。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种碳化硅功率器件，包括碳化硅功率器件体，所述碳化硅功率器件体包括功率器件基板和碳化硅外层，所述功率器件基板的顶部设置有正电极层，所述功率器件基板的底部设置有负电极层，所述正电极层和负电极层的外壁均固定安装有粘接层，所述粘接层的外壁固定安装有烧结层，所述烧结层的外壁固定安装有金属层。

优选的，所述碳化硅外层设置在金属层的外部，所述功率器件基板的两侧和碳化硅外层之间粘接有封边层。

一种碳化硅功率器件的封装结构，包括所述的一种碳化硅功率器件，包括封装顶板与封装底板，所述封装顶板内壁的两侧均开设有位移槽，所述封装顶板内壁的两侧均焊接有固定板，所述固定板的一侧外壁焊接有弹簧，所述弹簧的一端固定安装有推压件，所述封装顶板的两侧内部均螺纹连接有螺纹杆，且螺纹杆的一端固定安装有塞盖，所述封装顶板的两侧内壁均螺纹连接有顶盖。

优选的，所述碳化硅功率器件体设置在封装顶板和封装底板之间，所述封装底板顶部的内壁粘接有密封垫。

优选的，所述封装底板的内部开设有流通槽，所述流通槽的内壁通过螺栓安装有散热板。

优选的，所述封装底板的底部两侧均螺纹连接有密封塞，所述封装底板的底部两侧均焊接有支撑条。

优选的，所述封装顶板和封装底板的两侧外壁均焊接有安装板，两个所述安装板通过螺栓相连接。