[实用新型]一种便于硅片清洗的自动控温补水槽有效
申请号: | 202223081059.7 | 申请日: | 2022-11-21 |
公开(公告)号: | CN218585936U | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 李枝旺 | 申请(专利权)人: | 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 | 代理人: | 程霏 |
地址: | 244000*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 便于 硅片 清洗 自动 控温补 水槽 | ||
本实用新型一种便于硅片清洗的自动控温补水槽,属于半导体制造技术领域,包括水槽,所述水槽表面开设有三个清洗腔,所述清洗腔内放置有硅片承载框,其中两个所述清洗腔底部设置有加热板,其中两个所述清洗腔的内底壁和内上壁分别设置有下液位传感器和上液位传感器,所述其中两个所述清洗腔内壁设置有温度传感器,所述水槽前后表面分别设置有加水电磁阀和排水电磁阀。本实用新型的有益效果是,温度传感器可实时对水温进行检测,如温度超过或低于预设值,则会向温控器发出电信号,温控器会将实际温度与预设温度进行比较,并向相应的控制器发出电信号,控制器会控制加热板进行通电加热或停止加热,从而控制清洗腔内的温度处于合适范围,保证硅片的清洗效果最佳。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,具体是一种便于硅片清洗的自动控温补水槽。
背景技术
半导体器件生产中硅片须经严格清洗,微量污染也会导致器件失效,清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物,这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面,会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。
申请号:201921174837.2,公开了一种自动硅片清洗设备,涉及硅片清洗装置领域,针对现有硅片清洗低效,且中间的过程繁琐,一体化低的问题,现提出如下方案,其包括浸泡箱、清洗箱、去离子箱,所述清洗箱内设置有水管,且水管上设置有喷头,所述泡箱、清洗箱、去离子箱的上端设置有顶板,且其内设置有滑槽,所述滑槽的后内壁的上端固定连接有齿条,所述滑槽内设置有滑板,所述滑板的左右两端均固定连接有液压杆,所述滑板中心设置有转杆,所述液压杆的下端固定连接有弧形板,且弧形板内设置有滑轨,所述滑轨内滑动连接有转盘,所述转盘的中心套接有转筒,所述转筒的外表面固定连接有托板。本实用新型清洗设备具有便于清洗、转运且清洗效率高的特点。
以上对比文件通过可转动的转筒来对硅片进行高效清理,但硅片在清理的过程中,其内部的清洗液水温难以得到控制,不同的水温对硅片的清理效果也不同,且随着不断的清洗,清洗液的体积会随之下降,需要人工手动添加清洗液,较为不便,针对上述情况,我们推出了一种便于硅片清洗的自动控温补水槽。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种便于硅片清洗的自动控温补水槽,以解决上述背景技术中提出清洗槽的水温难以控制,且清洗液无法自动补充的问题。
本实用新型的技术方案是:
包括水槽,所述水槽表面开设有三个清洗腔,所述清洗腔内放置有硅片承载框,其中两个所述清洗腔底部设置有加热板,其中两个所述清洗腔的内底壁和内上壁分别设置有下液位传感器和上液位传感器,所述其中两个所述清洗腔内壁设置有温度传感器,所述水槽前后表面分别设置有加水电磁阀和排水电磁阀,其中两个所述清洗腔内壁设置有控温器,所述加热板与温度传感器和控温器电性连接,所述水槽外壁设置有控制器,所述下液位传感器和上液位传感器分别与控制器电性连接,所述控制器分别与加水电磁阀和排水电磁阀电性连接。
进一步的,所述水槽内壁设置有保温层。
进一步的,另一个所述清洗腔内壁设置有若干个喷头,所述水槽外表面设置有进水口,所述进水口与喷头相连通,所述水槽外表面设置有排水口。
进一步的,所述水槽顶部转动连接有翻盖。
进一步的,所述承载框上表面固定设置有把手。
本实用新型通过改进在此提供一种便于硅片清洗的自动控温补水槽,与现有技术相比,具有如下改进及优点:
其一:本实用新型,温度传感器可实时对水温进行检测,如温度超过或低于预设值,则会向温控器发出电信号,温控器会将实际温度与预设温度进行比较,并向相应的控制器发出电信号,控制器会控制加热板进行通电加热或停止加热,从而控制清洗腔内的温度处于合适范围,保证硅片的清洗效果最佳。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造