[实用新型]短打线长度的芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202223098353.9 申请日: 2022-11-22
公开(公告)号: CN218827104U 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 徐华云;韩明伟 申请(专利权)人: 南京真芯润和微电子有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31;H01L25/065
代理公司: 南京科阔知识产权代理事务所(普通合伙) 32400 代理人: 苏兴建
地址: 211806 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 短打 长度 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种短打线长度的芯片封装结构,包括封装基板、晶片和塑封料;晶片安装于封装基板顶面,塑封料覆盖于封装基板表面,晶片被塑封料封装,其特征是还包括中转连接结构;

中转连接结构位于晶片旁;在中转连接结构上分布有多根独立导线,每根导线的一端靠近晶片,另一端靠近封装基板的顶面布线的焊盘;晶片的键合线连接于对应中转连接结构上的对应导线的一端,导线的另一端通过键合线连接于封装基板的顶面布线的对应焊盘。

2.根据权利要求1所述的短打线长度的芯片封装结构,其特征是所述晶片有一组或多组;每组晶片有一个或多个。

3.根据权利要求2所述的短打线长度的芯片封装结构,其特征是所述晶片有一组,每组晶片有一个,则:中转连接结构有1、2、3或4个,中转连接结构安装于封装基板顶面,且位于晶片旁。

4.根据权利要求2所述的短打线长度的芯片封装结构,其特征是所述晶片有一组,每组晶片有多个,各个晶片从下到上依次堆叠,且在下的晶片的表面积大于在上的晶片的表面积;至少一个晶片对应有中转连接结构;

对于一个晶片及其对应的中转连接结构:中转连接结构有1、2、3或4个,中转连接结构位于晶片旁;如果晶片在堆叠结构的最底层,则中转连接结构安装于封装基板顶面;如果晶片在堆叠结构的顶层至次底层中的任一层,则中转连接结构安装于相应晶片下方晶片的顶面。

5.根据权利要求2所述的短打线长度的芯片封装结构,其特征是所述晶片有多组,每组晶片有一个,各个晶片分布在封装基板顶面;

对于一个晶片,中转连接结构有1、2、3或4个,中转连接结构安装于封装基板顶面,且位于晶片旁。

6.根据权利要求2所述的短打线长度的芯片封装结构,其特征是所述晶片有多组,每组晶片有多个;

每组晶片有多个,各个晶片从下到上依次堆叠,且在下的晶片的表面积大于在上的晶片的表面积;各组晶片分布在封装基板顶面;

对于同组晶片,至少一个晶片对应有中转连接结构;对于一个晶片及其对应的中转连接结构:中转连接结构有1、2、3或4个,中转连接结构位于晶片旁;如果晶片在堆叠结构的最底层,则中转连接结构安装于封装基板顶面;如果晶片在堆叠结构的顶层至次底层中的任一层,则中转连接结构安装于相应晶片下方的晶片的顶面。

7.根据权利要求1~6任一所述的短打线长度的芯片封装结构,其特征是所述中转连接结构是空白晶片,空白晶片蚀刻有导线。

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