[实用新型]短打线长度的芯片封装结构

说明书

一种短打线长度的芯片封装结构，包括封装基板、晶片和塑封料；晶片安装于封装基板顶面，塑封料覆盖于封装基板表面，晶片被塑封料封装。还包括中转连接结构；中转连接结构位于晶片旁；在中转连接结构上分布有多根独立导线，每根导线的一端靠近晶片，另一端靠近封装基板的顶面布线的焊盘；晶片的键合线连接于对应中转连接结构上的对应导线的一端，导线的另一端通过键合线连接于封装基板的顶面布线的对应焊盘。晶片有一组或多组；每组晶片有一个或多个。本封装结构有效降低了打线长度和线弧高度，避免了注塑冲线风险。

技术领域：

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体是一种短打线长度的芯片封装结构。

背景技术

电子芯片封装技术朝着高密度、低成本、小型化的方向快速发展，其中多die堆叠集成封装是一种提升产品功能密度和降低封装尺寸的有效方法。

通过wire bonding打线工艺实现多die晶片堆叠集成封装是一种比较多见的封装结构，如图1的一种两晶片堆叠打线的WBBGA封装结构。

但是这类堆叠打线封装存在的问题是，当堆叠的晶片层数越多，最顶层晶片的键合线长度就越长、弧度越高，特别是当顶层晶片尺寸特别小的情况下，这种情况愈发突出。如图2所示，顶层晶片的键合线弧度过高、线长较大，在后续的Molding注塑工序时，键合线极易被流动的塑封料冲塌、冲弯、从而导致相邻的键合丝短路。

实用新型内容

为了解决以上技术问题，本发明创造提出一种芯片封装结构，思路是采用中转连接结构，把晶片的键合线先焊接于中转连接结构的一端，再由中转连接结构的另一端通过键合线焊接于基板。在中转连接机构上，对应的两端是导通的。本实用新型具体如下。

一种短打线长度的芯片封装结构，包括封装基板、晶片和塑封料；晶片安装于封装基板顶面，塑封料覆盖于封装基板表面，晶片被塑封料封装。还包括中转连接结构；

中转连接结构位于晶片旁；在中转连接结构上分布有多根独立导线，每根导线的一端靠近晶片，另一端靠近封装基板的顶面布线的焊盘；晶片的键合线连接于对应中转连接结构上的对应导线的一端，导线的另一端通过键合线连接于封装基板的顶面布线的对应焊盘。

具体来说，所述晶片有一组或多组；每组晶片有一个或多个。

第一种结构：所述晶片有一组，每组晶片有一个，则：中转连接结构有1、2、3或4个，中转连接结构安装于封装基板顶面，且位于晶片旁。

第二种结构：所述晶片有一组，每组晶片有多个，各个晶片从下到上依次堆叠，且在下的晶片的表面积大于在上的晶片的表面积；至少一个晶片对应有中转连接结构；

对于一个晶片及其对应的中转连接结构：中转连接结构有1、2、3或4个，中转连接结构位于晶片旁；如果晶片在堆叠结构的最底层，则中转连接结构安装于封装基板顶面；如果晶片在堆叠结构的顶层至次底层中的任一层，则中转连接结构安装于相应晶片下方晶片的顶面。

第三种结构：所述晶片有多组，每组晶片有一个，各个晶片分布在封装基板顶面；

对于一个晶片，中转连接结构有1、2、3或4个，中转连接结构安装于封装基板顶面，且位于晶片旁。

第四种结构：所述晶片有多组，每组晶片有多个；

每组晶片有多个，各个晶片从下到上依次堆叠，且在下的晶片的表面积大于在上的晶片的表面积；各组晶片分布在封装基板顶面；

对于同组晶片，至少一个晶片对应有中转连接结构；对于一个晶片及其对应的中转连接结构：中转连接结构有1、2、3或4个，中转连接结构位于晶片旁；如果晶片在堆叠结构的最底层，则中转连接结构安装于封装基板顶面；如果晶片在堆叠结构的顶层至次底层中的任一层，则中转连接结构安装于相应晶片下方的晶片的顶面。