[实用新型]一种50G高速光电探测器TO封装结构有效
| 申请号： | 202223131808.2 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN219180520U | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张萌;陈研 | 申请（专利权）人： | 武汉斯优光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 50 高速 光电 探测器 to 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种50G高速光电探测器TO封装结构，包括管座(1)与管帽(2)，其特征在于：所述管帽(2)焊接至管座(1)的外侧，所述管座(1)的内部安装有垫片(5)，所述垫片(5)的内部分别安装有PD芯片(3)与TIA芯片(4)，所述PD芯片(3)处于管座(1)的轴心处，所述管座(1)的内部安装有外置电容(6)，所述外置电容(6)、PD芯片(3)、TIA芯片(4)与管座(1)之间采用金丝连接；
所述垫片(5)包括内置电容(51)、电阻(52)、未镀金区域(53)与镀金区域(54)，所述内置电容(51)、电阻(52)与PD芯片(3)均安装至未镀金区域(53)的内部，所述TIA芯片(4)安装至镀金区域(54)的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
