[实用新型]一种50G高速光电探测器TO封装结构

说明书

本实用新型公开了一种50G高速光电探测器TO封装结构，属于工装治具领域，包括管座与管帽，所述管帽焊接至管座的外侧，所述管座的内部安装有垫片，所述垫片的内部分别安装有PD芯片与TIA芯片，所述PD芯片处于管座的轴心处，所述管座的内部安装有外置电容，所述外置电容、PD芯片、TIA芯片与管座之间采用金丝连接。该实用新型，将PD芯片和TIA芯片缩短了间距，减小了占用空间，缩小封装尺寸，降低成本。

技术领域

本实用新型涉及一种工装治具，更具体地说，涉及一种50G高速光电探测器TO封装结构。

背景技术

光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变，光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途，在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面，且在生产过程中，常搭配其他元件进行封装处理。

现有的光电探测器在封装作业过程中，存在如下缺陷：

内部元件间距较大，占用空间大，导致封装成本高昂。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种50G高速光电探测器TO封装结构，以克服上述技术缺陷。

为解决背景技术问题，本实用新型采用如下的技术方案；

一种50G高速光电探测器TO封装结构，包括管座与管帽，所述管帽焊接至管座的外侧，所述管座的内部安装有垫片，所述垫片的内部分别安装有PD芯片与TIA芯片，所述PD芯片处于管座的轴心处，所述管座的内部安装有外置电容，所述外置电容、PD芯片、TIA芯片与管座之间采用金丝连接。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述垫片包括内置电容、电阻、未镀金区域与镀金区域，所述内置电容、电阻与PD芯片均安装至未镀金区域的内部，所述TIA芯片安装至镀金区域的内部。

相比于现有技术，本实用新型的优点在于：

本方案将PD芯片和TIA芯片安装至垫片上，使PD芯片和TIA芯片缩短了间距，同时保证金丝球焊距离最短，连接金丝更短，传输阻抗更小，减小了占用空间，缩小封装尺寸，降低成本。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的结构仰视剖视示意图；

图3为本实用新型的垫片结构仰视剖视示意图。

图中标号说明：

1、管座；2、管帽；3、PD芯片；4、TIA芯片；5、垫片；51、内置电容；52、电阻；53、未镀金区域；54、镀金区域；6、外置电容。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；

请参阅图1～3，本实用新型中，一种50G高速光电探测器TO封装结构，包括管座1与管帽2，管帽2焊接至管座1的外侧，管座1的内部安装有垫片5，垫片5的内部分别安装有PD芯片3与TIA芯片4，PD芯片3处于管座1的轴心处，管座1的内部安装有外置电容6，外置电容6、PD芯片3、TIA芯片4与管座1之间采用金丝连接。